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(电子行业企业管理)微电子级课程标准

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知识目标: 1、了解热氧化生长动力学; 2、理解决定氧化速率的各种因素、热氧化过程中的杂质再氧化技术 分布; 3、掌握Si02、性质、用途、热氧化方法。 能力目标: 1掌握Si02、性质、用途、热氧化方法。 知识目标: 1、 理解扩散原理、杂质浓度分布机理; 2、 掌握扩散类型、常用杂质的扩散方法、结深与方块电阻的测量。 能力目标: 掌握扩散类型、常用杂质的扩散方法、结深与方块电阻的测量。 知识目标: 1、理解光刻胶性能、光刻技术; 2、掌握光刻胶种类。 能力目标: 掌握光刻胶种类。 知识目标: 1、Si02的结构、性质、用途; 2、Si02掩蔽作用; 3、热氧化; 4、热氧化生长动力学; 5、决定氧化速率的各种因素; 6、热氧化过程中的杂质再分布。 6 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 扩散技术 1、扩散机构; 2、杂质浓度分布; 3、常用杂质的扩散方法; 6 4、结深与方块电阻的测量。 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 光刻技术 1、 概述; 2、光刻胶及特性; 3、光刻技术。 6 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 多媒体教室 将自主学习能力、基础知刻蚀 1、VLSI对图形转移的要求6 11

1、了解反应离子刻蚀与离子束刻蚀; 2、理解VLSI对图形转移的要求和刻蚀方法; 3、掌握等离子刻蚀。 能力目标: 掌握等离子刻蚀。 知识目标: 1、理解注入离子的浓度分布与退火; 2、掌握离子注入设备、离子离子注入 注入的特点与应用。 能力目标: 掌握离子注入设备、离子注入的特点与应用。 知识目标: 1、理解CVD化学过程、生长动力学、CVD淀积系统; 2、掌握化学气相淀积概念、薄膜分类。 能力目标: 掌握化学气相淀积概念、薄膜分类。 知识目标: 1、理解金属化工艺作用; 2、掌握金属化薄膜的制备方法及金属化互连技术。 能力目标: 和刻蚀方法; 2、等离子刻蚀; 3、反应离子刻蚀与离子束刻蚀。 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 (黑板、课件、动画、识的运用能力、问题分析视频) 能力等纳入过程考核,具体可根据课堂提问、辅导答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 1、离子注入设备; 2、注入离子的浓度分布与退火; 6 3、离子注入的特点与应用。 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 化学气相淀积CVD 1、 CVD化学过程及薄膜分类; 2、生长动力学; 3、CVD淀积系统。 2 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 将自主学习能力、基础知多媒体教室 识的运用能力、问题分析(黑板、课件、动画、能力等纳入过程考核,具视频) 体可根据课堂提问、辅导答疑和作业完成情况进金属化 1、 概述; 2、金属化薄膜制备; 3、金属化互连技术。 2 12

掌握金属化薄膜的制备方法及金属化互连技术。 知识目标: 1、理解SI-SI02系统结构及作用、钝化膜结构; 2、掌握钝化方法。 能力目标: 掌握钝化方法。 知识目标: 1、了解电阻结构、电容结构、接触控、通控、连线; 2、理解双极性三极管结构、MOS场效应管结构; 3、掌握二极管结构。 能力目标: 掌握二极管结构。 知识目标: 1、理解集成电路制造工艺流程; 2、掌握二极管在实验室中的制作过程。 能力目标: 掌握二极管在实验室中的制作过程。 知识目标: 1、理解真空、真空泵; 1、 概述; 2、SI-SI02系统; 3、钝化方法; 4、钝化膜结构。 网络资源 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 讲解法 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 教学方法: 讲解法 行阶段性考核评价。 表面钝化 2 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 电学隔离技术 1、 二极管结构; 2、双极性三极管结构; 3、MOS场效应管结构结构; 4、电阻结构; 2 5、电容结构; 6、接触控、通控、连线。 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 集成电路制造工艺流程 1、 典型双极性集成电路工艺; 2、CMOS集成电路工艺。 2 将自主学习能力、基础知识的运用能力、问题分析多媒体教室 能力等纳入过程考核,具(黑板、课件、动画、体可根据课堂提问、辅导视频) 答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 多媒体教室 将自主学习能力、基础知(黑板、课件、动画、识的运用能力、问题分析真空的获得与设备 1、真空; 2、真空泵; 2 13

2、掌握残气分析器、工艺腔的玷污类型。 能力目标: 掌握残气分析器、工艺腔的玷污类型。 3、工艺腔内的气流; 4、残气分析器; 5、等离子体; 6、工艺腔的玷污。 自主学习法 资源利用: 自编讲义、课件、网络资源 视频) 能力等纳入过程考核,具体可根据课堂提问、辅导答疑和作业完成情况进行阶段性考核评价。 14

七、考核方式、方法

1.考核方式

本课程考核采用形成性考核和期末考试相结合的方式。形成性考核指平时作业、课堂考勤、课堂讨论和期中考试等,占学期总成绩的30%;期末考试占学期总成绩的70%。2.考核方法

本课程的理论考核采用开卷考试的考核方法。

八、教学基本条件

1.对教师的基本要求

教师应为电类相关专业本科以上学历,从事过相关课程的教学或实训教学工作,具有较强的语言表达能力及职业教学方法的能力。

2.教学硬件环境基本要求

环境整洁的多媒体教室及其多媒体配套设备。 3.教学资源基本要求

(1)具有内容丰富,思路清晰的自编讲义;

(2)完善的网络教学资源,如学院的网络课程中包含相应的计划、详细讲义、PPT课件、课程动画媒体库、在线练习及课程BBS方便教师与学生的教学沟通。

(3)丰富的图书资源,为学生提供完备的参考书籍。教师应为学生指明参考书,强化针对性学习。

4.学生基础

(1)要求本专业的学生具有较好的电子技术基础知识、基本技能。

(2)有一定的逻辑思维能力,有较强的分析问题和解决问题能力,对电子技术相关知识有一定的兴趣和爱好。

九、其他说明(根据课程性质决定内容有否以及多少)

1.教学基本要求所规定的内容分为三个层次:

掌握:不仅要求理解概念和原理,而且要求具备应用能力。 理解:要求透彻领会概念和原理。 了解:只要求对基本概念有所了解。

2.作业要求:习题是本课程的重要教学环节,学生可通过一定量的习题巩固和加深对课程内容的理解,同时也培养学生分析问题解决问题的技能。因此,建议在授课过程中尽可能多讲习题、多做练习。

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(电子行业企业管理)微电子级课程标准

知识目标:1、了解热氧化生长动力学;2、理解决定氧化速率的各种因素、热氧化过程中的杂质再氧化技术分布;3、掌握Si02、性质、用途、热氧化方法。能力目标:1掌握Si02、性质、用途、热氧化方法。知识目标:1、理解扩散原理、杂质浓度分布机理;2、掌握扩散类型、常用杂质的扩散方法、结深与方块电阻的测量。能力目标:掌握扩散类型、常用杂质的扩散方法、结深与方块电阻的测量。
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