键合结构及其形成方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN202410002425.9 （22）申请日 2024.01.02

（71）申请人 长江存储科技有限责任公司

地址 430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

（10）申请公布号 CN109755142A

（43）申请公布日 2024.05.14

（72）发明人 王先彬;肖莉红;李涌伟

（74）专利代理机构 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人 董琳

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

键合结构及其形成方法

（57）摘要

本发明涉及一种键合结构及其形成方法，

包括：提供两个基底，每个基底均包括介质层和形成于所述介质层内的暴露顶部表面的金属互连部；在两个基底相对键合位置处的金属互连部表面形成阻挡层，且当两个基底相对键合位置处均设置有金属互连部时，至少在其中较大尺寸的金属互连部的顶部表面形成阻挡层，所述阻挡层为导电材料且能够阻挡金属原子的扩散；将所述两个基底的表面相对键合，所述阻挡层位于两个基

底的金属互连部之间。所述阻挡层能够阻挡金属互连部内的金属原子向邻近介质层的扩散，避免金属原子扩散引起器件的电学性能下降和可靠性变差，提高键合器件的可靠性。

法律状态

法律状态公告日

2024-05-14 2024-05-14 2024-06-07

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

法律状态

公开 公开

实质审查的生效

权利要求说明书

键合结构及其形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看