CKS32F030xx 数据手册
集成了电容器 的谐振器
C
L1
OSC_IN
f HSE
8MHz
谐振器
R F
增益控制
R
C
EXT
(1)
OSC_OUT
L2
图 14 使用 8MHz 晶体的典型应用
1. REXT 数值由晶体的特性决定。
使用一个晶体/陶瓷谐振器产生的低速外部时钟
低速外部时钟(LSE)可以使用一个 32.768kHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。本节中所给出的信
息是基于使用表 31 中给出的典型外部元器件的参数通过综合特性评估得到的结果。在应用中，谐振器和负
载电容必须尽可能地靠近振荡器的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。关于谐振器特性(频率，封
装，精度)的更多细节请参考晶体谐振器手册。
表 31 LSE 振荡器特性(fLSE=32.768kHz) 符号 参数 条件 LSEDRV[1：0] = 00 较低驱动能力 LSEDRV[1：0] = 01 中低驱动能力 最小值(1) 典型值 - 最大值(1) 0.9 单位 0.5 - - 1 IDD LSE 电流消耗 LSEDRV[1：0] = 10 中高驱动能力 μA 1.3 - - LSEDRV[1：0] = 11 较高驱动能力 LSEDRV[1：0] = 00 较低驱动能力 - - 1.6 5 - - LSEDRV[1：0] = 01 中低驱动能力 振荡器的跨导 8 - - gm LSEDRV[1：0] = 10 中高驱动能力 μA /V - 15 - (2) LSEDRV[1：0] = 11 较高驱动能力 启动时间 VDD 稳定 25 - -
tSU(HSE) - 2 - s 1. 由设计保障，不在生产中测试。
2. tSU(HSE)是启动时间，是从软件使能 HSE 开始测量，直至得到稳定的 32.768kHz 振荡这段时间。这个数值是在一个标准的晶体谐振器上测量得到，它可能因晶体制造商的不同而变化较大。
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集成了电容器 的谐振器
CL1
OSC32_IN
32.768
kHz
f
LSE
增益控制
谐振器
OSC32_OUT
CL2
图 15 使用 32.768kHz 晶体的典型应用
注：OSC32_IN 和 OSC32_OUT 之间不需要添加外部电阻，并且禁止添加一个电阻。
6.3.8 内部时钟源特性
下表 32 中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。提供的图像是表征 结果，未在生产中进行测试。
高速内部(HSI)RC 振荡器
表 32 HSI 振荡器特性(1) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fHSI 频率 - - 8 - - ±5 MHz TRIM DuCy(HSI) ACCHSI HSI 用户修整步骤 占空比 HSI 振荡器的精度 - - TA= -10~85°C - 45(2) - - 1(2) 55(2) - % % % % μs μA (工厂校准)(3) HSI 振荡器启动时间 HSI 振荡器功耗 TA= 25°C - - ±1 - 80 - tSU(HSI) IDDA(HSI) 1(2) - 2(2) - 1. VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。
2. 由设计保证，不在生产中测试。
3. 与用户校准。
高速内部 14MHz (HSI14)RC 振荡器（ADC 专用）
符号 参数 表 33 HSI14 振荡器特性(1) 条件 最小值 典型值 最大值 单位 fHSI14 频率 HSI14 用户修整步骤 占空比 HSI14 振荡器的精度(工 - 14 - - ±5 MHz TRIM DuCy(HSI14) ACCHSI14 TA= -40~85°C - 45(2) - 1(2) 55(2) - % % %
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CKS32F030xx 数据手册
厂校准) tSU(HSI14) IDDA(HSI14) HSI14 振荡器功耗 HSI14 振荡器启动时间 1(2) - - 100 2(2) - μs μA 1.
VDD = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。 2. 由设计保证，不在生产中测试。
低速内部(LSI)RC 振荡器
表 34 LSI 振荡器特性(1)
符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 fLSI 频率 40 42 44 kHz t(2) SU(LSI) LSI 振荡器启动时间 - - 85 μs I(2) LSI 振荡器功耗 DDA(LSI) - 0.75 - μA 1.
VDDA = 3.3V，TA= -40~85°C，除非特别说明。 2. 由设计保证，不在生产中测试。
6.3.9 PLL 特性
表 35 列出的参数是使用环境温度和供电电压符合表 17 的条件测量得到。
表 35 PLL 特性 符号 参数 数值 最小值 典型值 最大值 单位 fPLL_IN PLL 输入时钟(1) 1(2) 80 24(2) MHz PLL 输入时钟占空比 40(2) - 60(2) % fPLL_OUT PLL 倍频输出时钟 16(2) - 48 MHz tLOCK PLL 锁相时间 - - 200(2) μs JitterPLL 周期间抖动 - - 300(2) ps 1.
需要注意使用正确的倍频系数，从而根据 PLL 输入时钟频率使得 fPLL_OUT 处于允许范围内。 2. 由综合评估得出，不在生产中测试。
6.3.10 储存器特性
闪存储存器
除非特别说明，所有特性参数是在 T A= -40~85°C 得到。
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CKS32F030xx 数据手册
表 36 闪存储存器特性
符号 tprog 参数 16 位的编程时间 条件 TA= -40 ~ +85°C 最小值 20 最大值(1) - 单位 μs ms
tERASE tME 页(1K 字节)擦除时间 整片擦除时间 供电电流 TA= -40 ~ +85°C 2 - -
IDD TA= -40 ~ +85°C 10 4 ms mA 写模式 - -
擦除模式 4 2.4 mA V
Vprog 编程电压 - 1. 由设计保证，不在生产中测试。
表 37 闪存储存器寿命和数据保存期限
符号 参数 条件 最小值 单位 千次 NEND 寿命 TA= -40 ~ +85°C 100 10 1 千次(2)在 TA= 85°C 时 tRET 数据保存期限 1. 由综合评估得出，不在生产中测试。
2. 在整个温度范围内循环。
年 6.3.11 EMC 特性
敏感性测试是在产品的综合评估时抽样进行测试的。
功能性 EMS(电磁敏感性)
当运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，测试样品被施加 2 种电磁干扰直到产生错
误，LED 闪烁指示了错误的产生。
??
?
静电放电(ESD)(正放电和负放电)施加到芯片所有的引脚直到产生功能性错误。这个测试遵从于?
IEC 61000-4-2 标准。
?
?
FTB：一个瞬变电压的脉冲群(正向和反向)通过一个 100pF 的电容施加在 VDD 和 VSS 上，直到产
生功能性错误。这个测试符合 IEC 61000-4-4 标准。
?
芯片复位可以使系统恢复正常操作。测试结果列于下表 38 中。
表 38EMS 特性 符号 参数 条件 级别/类型 VFESD C， 施加到任一 I/O 脚，从而导致功能错误的 VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °电压极限。 fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-2 3B VEFTB
在 VDD 和 VSS 上通过 100pF 的电容施加 VDD = 3.3V，LQFP48，TA= +25 °C， 的、导致功能错误的瞬变脉冲群电压极限 fHCLK = 48MHz。符合 IEC 61000-4-4 4B 设计牢靠的软件以避免噪声的问题
在器件级进行 EMC 的评估和优化，是在典型的应用环境和优化的软件中进行的。应该注意的是，好的
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CKS32F030xx 数据手册
EMC 性能与用户应用和具体的软件密切相关。因此，建议用户对软件实行 EMC 优化和进行与对用户的应
用来说 EMC 相关的预测试。
软件建议
软件的流程中必须包含程序跑飞的控制，如：
?
?
?
?
被破坏的程序计数器
意外的复位
?
?
?
关键数据被破坏(控制寄存器等……)
?
认证前的试验
很多常见的失效(意外的复位和程序计数器被破坏)，可以通过人工地在 NRST 上引入一个低电平或在晶
振引脚上引入一个持续 1 秒的低电平而重现。
在进行 ESD 测试时，可以把超出应用要求的电压直接施加在芯片上，当检测到意外动作的地方，软件
部分需要加强以防止发生不可恢复的错误。
电磁干扰(EMI)
在运行一个简单的应用程序时(通过 I/O 端口闪烁 2 个 LED)，监测芯片发射的电磁场。这个发射测试符
合 IEC 61967-2 标准，这个标准规定了测试板和引脚的负载。
表 39 EMI 特性
符号 参数 条件 监测的频段 最大值(fHSE/fHCLK) 8/48MHz 单位 VDD= 3.3 V，TA= C，LQFP48 封装， 峰值 25°符合 IEC 61967-2 0.1~30MHz -3 23 SEMI 30~130MHz dBμV 130MHz~1GHz 17 4 SAM EMI 级别 -
6.3.12 电气敏感性
基于三个不同的测试(ESD，LU)，使用特定的测量方法，对芯片进行强度测试以决定它的电气敏感性 方面的性能。
静电放电(ESD)
静电放电(一个正的脉冲然后间隔一秒钟后一个负的脉冲)施加到所有样品的所有引脚上，样品的大小与
芯片上供电引脚数目相关(3 片 x (n+1)供电引脚)。这个测试符合 JESD22-A114/C101 标准。
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CKS中科芯单片机—CKS32F030F4P6 - 图文
