三极管开关电路和场效应管电路优劣比较
一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和 MOS 管开关电路有着以 下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS 管属于电压控制;然后就是成 本问题，三极管便宜，MOS 管贵;其次是功耗问题，三极管损耗大;最后是驱动 能力，MOS 管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管 比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。
MOS 管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏 感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑 MOS 管。实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得 了解双极晶体管和 MOS 晶体管的工作方式才能明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn 管射极跟随器为例，当基极加不 加电压时，基区和发射区组成的 pn 结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子) 的扩散运动，在此 pn 结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)， 当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于 内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小 值即 pn 结的正向导通电压(工程上一般认为 0.7v)。但此时每个 pn 结的两侧都 会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电 子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容 易越过基区到达集电区，并与此处的 PN 的空穴复合(靠近集电极)，为维持平 衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为 pn 结处 运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极，这就是 晶体管的工作原理。
三极管工作时，两个 pn 结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，
三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn 结感应的电荷要恢复到平衡状 态，这个过程需要时间。而 MOS 三极管工作方式不同，没有这个恢复时间， 因此可以用作高速开关管。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取 较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较 多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有 多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体 管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可 以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电 路中得到了广泛的应用。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种 电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很 难达到的性能。
这里对于场效应管的选择来说，我们可以认为一般分成结型和绝缘栅型两大 类，其控制原理都是一样的。
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三极管开关电路和场效应管电路优劣比较
