第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
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第2章 半导体三极管及其基本放大电路
一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置;而工作在饱和区时,发射结处于 偏置,集电结处于 偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数? ,反向饱和电流ICBO ,发射结电压UBE 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,UOA?UOB;都接人负载RL电阻时,测得UOA?UOB,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻 。
2.4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用
组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态。
2.5 FET是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个 器件。
2.6 FET工作在可变电阻区时,iD与uDS基本上是 关系,所以在这个区域中,FET的d、s极间可以看成一个由uGS控制的 。
2.7 FET的自偏压电路只适用于 构成的放大电路;分压式自偏压电路中的栅极电阻RS一般阻值很大,这是为了 。 二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)
2.8 BJT能起放大作用的内部条件通常是:(1)发射区掺杂浓度 (a1.高,b1.低,c1.一般);(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a2.高,b2.低,c2.相同),基区宽度
(a3.高,b3.窄,c3.一般);集电结面积比发射结面积 (a4.大,b4.小,c4.相等)。
2.9 测得BJT IB=30μA时,IC=2.4 mA;IB=40μA时,IC=3 mA,则该管的交流电流放大系数?为 (a.80,b.60,c.75)。
2.10用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个BJT的类型(指NPN型还是PNP型)与三个电极时,以测出 最为方便(a.各极间电阻,b.各极对地电位,c.各极电流)。
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2.11 既能放大电压,也能放大电流的是 组态放大电路;可以放大电压,但不能放大电流的是 组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是 组态放大电路(a.共射, b.共集,c.共基)。
2.12 某FET的IDSS为6 mA,而IDQ自漏极流出,大小为8 mA,则该管
是 (a.P沟道JFET, b.N沟道JFET,c.P沟道耗尽型IGFET,d.N沟道耗尽型IGFET,e.P沟道增强型IGFET,f.N沟道增强型IGFET)。
2.13 P沟道增强型IGFET的开启电压UGS(th)为 (a1.正值,b1.负值,c1.零值),P沟道耗尽型IGFET的夹断电压UGS(off)为 (a2.正值,b2.负值,c2.零值)。
三、判断下列说法是否正确(用、/或×号表示)
2.14通常的BJT在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。( )
2.15 有两个BJT,其中第一个管子的?1=150,,ICEO1=200 μA,第二个管子的?2=50,ICEO2=10μA,其他参数一样。由于?1>?2,因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。( )
2.16 BJT的输入电阻rbe。可以用万用表的“Ω”挡测出。( )
2.17 当输入电压为正弦波时,如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真,则基极电流iB的波形将正半波削波;( )集电极电流iC波形将负半波削波;( )输出电压uO的波形将正半波削波。( )
2.18 由于JFET与耗尽型MOSFET同属于耗尽型,因此在正常放大时,加于它们栅、源极间的电压uGS只允许一种极性。( )
2.19 由于FET放大电路的输入回路可视为开路,因此FET放大电路输入端的耦合电容Cb一般可以比BJT放大电路中相应的电容小得多。( )
解答:
2.1 正向 反向 正向 正向 2.2 增大 增大 减小 2.3 大
2.4 共射 共基 共集 共基
2.5 输入信号电压 电压型控制 2.6 线性增加 可变电阻
2.7 耗尽型FET(含JFET) 减小Rg1、Rg2的分流作用 增大放大电路的输入电阻
2.8 (a1) (b2) (b3) (a4) 2.9 (b) 2.10 (b)
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2.11 (a) (c) (b) 2.12 (c)
2.13 (b1) (a2) 2.14 (×) 2.15 (×) 2.16 (×)
2.17 (×) (×) (√) 2.18 (×) 2.19 (√)
2.20测得放大电路中两个BJT中的两个电极的电流如图题2.20所示。 (1)求另一电极电流的大小,并标出其实际极性; (2)判断是NPN管还是PNP管; (3)标出e、b、c电极; (4)估算?值。
2.20解答:
(1)、(2)、(3)见图题解2.20 (4)(a)? =IC/IB=1.8 mA/0.03 mA=60 (b)? =IC/IB=2 mA/0.02 mA=100
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(a) (b)
图题解2.20
2.21用直流电压表测得放大电路中的几个BJT的三个电极电位如表题2.21所示,试判断它们是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并确定每个管子的e、b、c极。
2.21解答:
解答见下页表中黑体字 U1/V U2/V U3/V 管型 Ⅰ 2.8 b 2.1 e 2.7 c NPN硅管 Ⅱ 2.9 b 2.6 e 7.5 c NPN锗管 Ⅲ 5 c 8.8 b 8.7 e PNP硅管 Ⅳ 8.8 b 5.5 c 8.3 e PNP锗管
2.22某BJT的极限参数,ICM=100 mA,PCM:150 mW,U(BR)CEO=30 V,若它的工作电压UCE=10 V,则工作电流IC不得超过多大?若工作电流Ic=1 mA,则工作电压的极限值应为多少?
2.22解答:
若UCE=10 V,则IC?PCM/UCE=150 mW/10 V=15 mA;
若IC=1 mA,则UCE=PCM/IC=150 mW/1 mA=150 V,此电压大于U(BR)CEO=30 V,故工作电压的极限值应为30 V。
2.23对于图题2.23所示固定偏流式放大电路,已知IC=1.5 mA,VCC =12 V,? =20,若要求Au=80,求该电路的Rb和Rc。设电路中的BJT为硅管。
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