第3章单片机并行存储器扩展
（一）填空题
1. 使用8KB×8位的RAM芯片，用译码法扩展64KB×8位的外部数据存储器，需要（8）片存储
芯片，共需使用（16）条地址线，其中（13）条用于存储单元选择，（3）条用于芯片选择。 2. 三态缓冲器的三态分别是（高电平）、（低电平）和（高阻态）。
3. 80C51单片机系统整个存储空间由4部分组成，分别为（4KB）个地址单元的内部（程序）存
储器，（256）个地址单元的内部（数据）存储器，（64KB）个地址单元的外部（程序）存储器，（64KB）个地址单元的外部（数据）存储器。
4. 在80C51单片机系统中，为外扩展存储器准备了（16）条地址线，其中低位地址线由（P0口）
提供，高位地址线由（P2口）提供。
5. 在80C51单片机系统中，存储器并行外扩展涉及的控制信号有（PSEN）、（RD）、（WR）、（ALE）
和（CE），其中用于分离低8位地址和数据的控制信号是（ALE），它的频率是晶振频率的（6）分之一。
6. 与微型机相比，单片机必须具有足够容量的程序存储器是因为它没有（外存）。
7. 在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为扩展芯片的（片选）引脚端提供信号。 8. 由一片80C51和一片2716组成的单片机最小系统。若2716片选信号CE接地，则该存储芯片
连接共需（3）条地址线。除数据线外，系统中连接的信号线只有（PSEN）和（ALE）。
（二）单项选择题
1. 下列有关单片机程序存储器的论述中，错误的是（D）
（A）用户程序保存在程序存储器中 （B）断电后程序存储器仍能保存程序 （C）对于程序存储器只使用MOVC一种指令
（D）执行程序需要使用MOVC指令从程序存储器中逐条读出指令 2. 下列有关单片机数据存储器的论述中，错误的是（A）
（A）数据存储器只使用MOV指令进行读/写 （B）堆栈在数据存储器中开辟 （C）数据存储器只用于保存临时数据 （D）专用寄存器也是数据存储器的一部分 3. 在单片机系统中，1KB表示的二进制位数是（D）
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（A）1000 （B）8×1000 （C）1024 （D）8×1024
4. 在下列信号中，不是供外扩展程序存储器使用的是（D）
（A）PSEN
（B）EA
（C）ALE
（D）WR
5. RAM是随机存储器的意思，随机存储器的准确含义是（C）
（A）存储器的各存储单元的存取时间相等
（B）可以在任何时刻随机读/写存储器内各存储单元 （C）随机表示既可读又可写
（D）随机是易失的意思，因为随机存储器具有易失的特点
6. 若在系统中只扩展一片Intel 2732（4K×8位），除应使用P0口的8条口线外，至少还应使用P2
口的口线（A） （A）4条
（B）5条
（C）6条
（D）7条
7. 下列叙述中，不属于单片机存储器系统特点的是（D）
（A）程序和数据两种类型的存储器同时存在 （B）芯片内外存储器同时存在
（C）扩展数据存储器与片内数据存储空间重叠 （D）扩展程序存储器与片内程序存储空间重叠
8. 在80C51单片机系统中，为解决内外程序存储器衔接问题所使用的信号是（A）
（A）EA 简答题
1． 在MCS-51单片机应用系统中，外接程序存储器和数据存储器的地址空间允许重叠而不会发生
冲突，为什么？
【解答】MCS-51的存储器采用哈佛结构，就是64KB程序存储器和64KB数据存储器是各自单独编址，各自独立的地址空间。其地址编号是允许重叠的。不会发生重叠的原因是：从硬件连线上，访问外部程序存储器（读取）是控制线EA、PSEN有效，访问外部数据存储器是RD（读）、WR（写有效；从指令系统来说，如果是程序主动访问，采用不同的指令来访问，一般MOVC访问程序存储器，MOVX访问外部数据存储器。在MCS-51中外部I/O接口地址是和外部数据存储器的地址在一起统一编址的，换句话说，就是I/O地址是外部数据存储器地址空间的一部分，因此其和外部数据存储器一样可以和外部程序存储器重叠。 2． 外部存储器的片选方式有几种？各有哪些特点？
（B）PSEN
（C）ALE
（D）CE
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优点 缺点 地址不连续，可寻址的地址范围减少，寻址能力的利用率太低，浪费地址空间 译码电路比较复杂，连线较多 线选法 连接简单，无需专门的译码电路 译码法 地址唯一、不重复 3． 简述MCS-51单片机CPU访问外部扩展程序存储器的过程。
***CPU从PC(程序计数器)中取出当前ROM的16位地址，分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外ROM 16位地址输入端，当PSEN信号有效时，外ROM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入指定单元。
***P0口作为地址/数据复用的双向三态总线，用于输出程序存储器的低8位地址或输入指令，P2口具有输出锁存功能，用于输出程序储存器的高8位地址。当ALE有效（高电平）时，高8位地址从P2口输出，低8位地址从P0口输出，在ALE的下降沿把P0口输出的低8位地址锁存起来，然后在PSEN有效（低电平）期间，选通外部程序存储器，将相应单元的数据送到P0口，CPU在PSEN上升沿完成对P0口数据的采样。
4． 简述MCS-51单片机CPU访问外部扩展数据存储器的过程。
***读外RAM的过程：外RAM 16位地址分别由P0口（低8位）和P2口（高8位）同时输出，ALE信号有效时由地址锁存器锁存低8位地址信号，地址锁存器输出的低8位地址信号和P2口输出的高8位地址信号同时加到外RAM 16位地址输入端，当RD信号有效时，外RAM将相应地址存储单元中的数据送至数据总线（P0口），CPU读入后存入指定单元。
写外RAM的过程：写外RAM的过程与读外RAM的过程相同。只是控制信号不同，信号换成WR信号。当WR信号有效时，外RAM将数据总线（P0口分时传送）上的数据写入相应地址存储单元中。
***第一个机器周期是从外部程序存储器读取MOVX指令操作码，第二个机器周期才是执行MOVX指令访问外部数据存储器。在该周期中，若是读操作，则RD信号有效（低电平），P0口变为输入方式，被地址信号选通的外部RAM某个单元中的数据通过P0口输入CPU；若是写操作，则WR信号有效（低电平），P0口变为输出方式，CPU内部数据通过P0口写入地址信号选通的外部RAM的某个单元中。
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5．现要求为8031扩展2片2732作为外部程序存储器，试画出电路图，并指出各芯片的地址范围。【解答】EPROM扩展芯片2732为：4KB×8；
8031：片内无ROM，需扩展外部存储器
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第3章 单片机并行存储器扩展(附答案)
