一种SiC MOSFET器件及其制作方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910842702.7 （22）申请日 2019.09.06

（71）申请人 芜湖启迪半导体有限公司

地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803

（10）申请公布号 CN110473911A

（43）申请公布日 2019.11.19

（72）发明人 史田超;程海英;钮应喜;乔庆楠;袁松;史文华;张晓洪;刘锦锦;钟敏;章学磊;左万胜 （74）专利代理机构 芜湖安汇知识产权代理有限公司

代理人 朱圣荣

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种SiC MOSFET器件及其制作方法

（57）摘要

本发明揭示了一种SiC MOSFET器件,包

括：SiC衬底、SiC衬底下方漏极、SiC N

法律状态

法律状态公告日

2019-11-19 2019-11-19 2019-12-13

公开 公开

实质审查的生效

法律状态信息

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法律状态

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说明书

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