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特点：
截止区： iB = 0 ； iC = 0
; UCE = UCC ；
放大区：
iC 受 iB 控制。
各条曲线近似水平， iC 和 UCE 的变化基本无关，呈近似恒流特性。
饱和区： iC 不受 iB 控制。 UCE ＝ 0.3V
六、晶体三极管的主要参数
1. 电流放大系数
直流电流放大系数
交流短路电流放大系数
共基极接法电流放大系数
；
；
2. 极限参数
COM ： 下降至正常值时候的 0.707倍所对应的 I C 值。 集电极最大允许电流I
反向击穿电压 BUCEO ： 当基极开路时集电极和发射极之间的反向击穿电压。 集电极最大允许功耗 PCM 。
3.三极管的输入电阻
共射电路的输入电阻：
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BE 结电阻：
共基极输入电阻：
§1-5 场效应管
场效应管的特点：
场效应管只靠多子来导电。它是单极型晶体管。它只依靠一种载流子导电。
三极管是靠多子、少子一起来导电的 ,又叫双极型晶体管。它靠两种载流子导电。 场效应管的导电途径：沟道──利用外加电场改变半导体体电阻来进行工作。（电场效应来工作。）
输入阻抗十分高。
场效应管分类：结型场效应管、绝缘栅型场效应管。
一、结型场效应管
1．结构：
N 区为载流子的主要通道── N 沟道。
2.符号：
N 沟道
P 沟道
3.工作原理：
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靠 UDG 和 USG 使两个 PN 结全部反偏，使耗尽层加宽。依靠反 偏电压的强弱来控制耗尽层的宽窄， （即改变半导体的体电阻）达到控制电流的作用。 VCCS
并且应有 UD > US，才能收集电子。漏极 D 和源极 S，可以互换着使用。
要求栅极 G 一定要反偏。
工作在放大状态时要求有：
4.输入特性：
栅极电流就是 PN 结的反向饱和电流。它几乎不随电压变化。
5. 输出特性曲线：──以 UGS 为参变量，描述 ID 和 UDS 之间的关系。
二、绝缘栅型场效应管
1.结构：（以 N 沟道为例）
2. 符号：
增强型
N 沟道
耗尽型
P 沟道
场效应管特性比较 P47 Tab 1-2
3.原理：
增强型：原始没有导电沟道，靠外加电压后形成反型层导电沟道。
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要求必须给栅极 G 加正向偏压。
有：
UD > UG > US
耗尽型：原来已经有导电沟道存在（掺杂造成的），靠外加电压使沟道中的
载流子耗尽。 所加栅极电压可正、可负。
正： 同增强型；
负： 同结型；
第二章 基本放大电路
§2-1
晶体三极管基本放大电路 反馈放大器的基本概念
§2-2
§2-3 频率特性的分析法 §2-4 小信号选频放大电路
§2-5 场效应管放大电路
§ 2－ 1 晶体三极管基本放大电路一、放大器的组成
1、放大电路的功能和主要研究问题
什么是放大器：输出信号能量 >输入信号能量的器件。（增大的能量是由电源提供的。） 放大器的要求： 1、能放大； 2、不失真； 主要问题：产生失真的条件和如何减小失真；
主要指标是放大倍数：
2、三种基本放大电路（三种组态）
三种组态：
共射； 共基； 共集；
NPN，PNP 都是这样） ,即： NPN─
要实现放大作用：必须满足发射结正偏，集电结反偏。（ ─ UC > UB > UE ；
PNP── UC < UB < UE ；
3、基本共射放大电路
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一般 RB >> RC ； RB 几百 K ， RC 几 K
二、 放大级的图解分析
放大级的图解分析法是利用晶体管的特性曲线通过作图的方法来分析放大电路的基本性
能。
图解分析法的特点是──直观。
图解分析法的步骤是：
1、先分析无输入信号时的静态特性。
2、 再分析有信号输入时的动态特性。
（一）、静态特性
1、任务：求解静态工作点 Q。（管子各极电流和各电极之间的电压）
2、静态工作点 Q 的定义：未加交流信号的情况下，在固定直流偏压作用下，
IBQ、ICQ、 UBEQ、UCEQ也为一个固定的值。
它们在曲线上对应着一个固定的点──
Q 点。
3、在给定电路中求解静态工作点 Q （以共射电路为例）。
* 解释：由于晶体管为非线性元件，它的输出伏安关系符合它的输出特性曲线。而晶体管所 带的负载是电阻，它是线性元件。伏安关系符合基尔霍夫 定律，为一条直线。（我们将在放大器直流输出回路中满足电压和电流关系的这一条直线称为直流负载线。）那么放大电路既要满 足晶体管的非线性特性曲线，又要满足负载电阻的直线，结论是只能将这两种线画在同一个坐标系中，从中取它们的交点。这个交点── Q 点。
图解法可以直观地反映出 Q 点改变对放大作用的影响。
求解静态工作点的步骤：
列输入方程，求出 I BQ：
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硬件电路设计基础学习知识.docx
