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实验3/4 反相器的特性
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1、实验目的
1.了解反相器的电路结构和版图结构。 2.理解反相器的开关阈值。
3.理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。 4.理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。
2、实验容
1. 画出一个双阱工艺反相器的版图示意图（不严格要求尺寸和比例关系，画出阱、扩散区、
多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可）。
2. 一个0.25um工艺的反相器，NMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 0.375um；PMOS管的尺寸
为L = 0.250um，W = 1.125um。
a) 电源为2.5V，从0到2.5V扫描输入电压vin，观察输出电压vout，找到开关阈值； b) 仅修改PMOS管的W = 2.750um，找到此时的开关阈值；
c) 恢复PMOS管尺寸W = 1.125um，电源分别为2.5V、1.5V、1V，观察tpHL和tpLH（50%
到50%）；
d) 修改PMOS管的W = 0.750um，电源为2.5V，观察tpHL和tpLH（50%到50%）。 3. 四个反相器级联，所有的NMOS管的尺寸为L = 0.250um，W = 0.375um；所有的PMOS管的L = 0.250um；电源为2.5V。
a) 第一个反相器的PMOS管W = 1.125um，第二个反相器的PMOS管W = 1.875um，第三个
反相器的PMOS管W = 3.000um，第四个反相器的PMOS管W = 5.250um； b) 四个反相器的PMOS管均为W = 1.125um； c) 四个反相器的PMOS管均为W = 1.875um； d) 四个反相器的PMOS管均为W = 3.000um；
观察四种情况下反相器链的tpHL和tpLH。
一、双阱工艺反相器的版图示意图
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双阱工艺反相器的版图示意图如图1.1所示
图1.1
二、单个反相器
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专用集成电路实验报告
