SiC纳米材料的制备及器件应用研究现状

SiC纳米材料的制备及器件应用研究现状

王玮韬 陈春梅*

【摘 要】SiC具有良好的物理性能和稳定的化学性能。本文从SiC微纳米材料的制备和器件应用展开综合论述，SiC微纳米材料被广泛应用在光电催化、光电探测器、场发射显示器等领域，是目前研究的必不可少的材料。 【期刊名称】科技风

【年(卷),期】2018(000)015 【总页数】2

【关键词】SiC；制备；应用；综述 【

文

献

来

源

】

https://www.zhangqiaokeyan.com/academic-journal-cn_technology-

wind_thesis/0201257042339.html

1 研究背景

SiC纳米材料的具有比较宽的带隙(2.4～3.2ev)，电子迁移率比较快，化学稳定性好，高的热导率等一系列的优点[1]。由于其材料本身具有的众多优势，能够在显微镜、场发射显示器、真空微电子器件等范围内被广泛应用[2]，这也是很多研究者对SiC纳米材料如此热衷的原因之一。现在大部分制备方法都比较成熟，当研究者能够有效合成SiC时，会逐渐把兴趣放在材料的应用方面。近几年，微纳米材料的应用非常迅速，研究者更是青睐于对SiC微纳米材料应用的研究，Chong等人研究了SiC纳米材料制备光电探测器件[3]，chen等人研究了SiC纳米线的场发射性能[4]等。SiC微纳米材料未来将成为主要的材料应用实际生活以及生产。

本文通过对SiC不同制备方法进行了论述，并对其在不同领域的应用阐述列举，