Si3P4和Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究
刘芳;桑田;赵华;周武雷;杨宇;
【期刊名称】《材料导报：纳米与新材料专辑》 【年(卷),期】2014(028)002
【摘要】采用基于密度泛函理论的广义梯度近似（GGA），计算了赝立方结构的Si3P4和Ge3Pt的基态稳定结构，以及它们的电子结构和光学性质。计算结果表明：Si3P4和Ge3P4均为间接带隙半导体，Si-P键及Ge-P键成键方式为共价键；Si3P4和GesPt均具有较大的静态介电常数；两者相比较而言，Ge3P4的反射率、折射率及吸收系数在数值上更大。从Si3P4和C-eaPt的能量损失函数中可知仅有外层电子参与了光学跃迁。计算结果为这两种材料的潜在应用提供了理论依据。 【总页数】6页(P.163-167,171)
【关键词】Si3P4;Ge3P4;光学性质;第一性原理 【作者】刘芳;桑田;赵华;周武雷;杨宇; 【作者单位】;;;;; 【正文语种】英文 【中图分类】TB321 【相关文献】
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Si3P4和Ge3P4电子结构及光学性质的第一性原理研究
