模拟CMOS集成电路课程
实验报告
姓 名： 杨珊 指导老师： 韩可 学 院： 电子工程 班 级： 2013211204 学 号： 2013210926
实验一:共源级放大器性能分析
一、实验目的
1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真；
3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线；
4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响
二、实验要求
1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。
4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。
三、实验结果
1、电路图
2、幅频特性曲线 当R=1K,
当R=10K,
四、实验结果分析
器件参数：
NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF。 实验结果：
当Rd=1K时，gm=2735.7u,Av=2.73. 当Rd=10k时，gm=173.50u,Av=1.73.
由此可知，当R增大时，放大器的性能下降。
实验二:差分放大器设计
一、实验目的
1.掌握差分放大器的设计方法；
2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。
二、实验要求
1.确定放大电路； 2.确定静态工作点Q； 3.确定电路其他参数。
4.电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW，设计差分放大器； 5.对所设计电路调试；
6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验原理
平衡态下的小信号差动电压增益AV为：
ISS AV=βISSRD=2β()RD 2 β1= β2= β=μnCOX(W/L) 四、实验结果
(表中数据单位dB) ，R单位：kΩ W/L R 100K 120K 300K 5 10 15 20 27dB 27dB 18dB 28dB 27dB 19dB 28dB 28dB 20dB 28dB 29dB 20dB 通过表格可知，改变W/L和栅极电阻，当R一定时，随着W/L增加，增益增加，W/L一定时，随着R的增加，增益也减少。但是由于带宽的限制，我们不能无限地增大W/L.为保证带宽,选取W/L=30，R=30K的情况下的数值，保证了带宽约为300MHZ，可以符合系统的功能特性,实验结果见下图。
北邮_模拟集成电路设计_期末实验报告
