知识点名称半导体器件物理(1)
第4章BJT功率特性
知识点名称4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区
功率BJT即使工作电流未超过发射极条长允许的最大电流值、同时工作电压也未超过击穿电压BVCEO ,但是如果功耗过大或者发生二次击穿,也会导致器件的烧坏。
半导体器件物理(I)
第4章BJT功率特性
知识点名称4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区
一、BJT热阻与最大功耗
1. BJT功耗与结温(1) BJT器件功耗
包括:EB结上功耗IEVBE
串联电阻RE、RB、RC上功耗
BC结上功耗ICVCB
由于串联电阻RE很小,流过RB上的电流IB很小,RC上压降远小于VCB 因此BJT主要功耗为结上功耗:PC≈ICVCB+IEVBE≈ICVCE
半导体器件物理(I)
第4章BJT功率特性
知识点名称4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区
一、BJT热阻与最大功耗
1. BJT功耗与结温(2) BJT器件结温
结上产生的功耗PC将导致结温Tj上升
→结与环境之间存在温差,产生热的传导
传递的热流PTd正比于结温与环境温度之差(Tj-Tamb):
(Tj?Tamb)PTd?
?j?amb
?j?amb称为热阻,反映了热传递的难易程度。式中:
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第4章BJT功率特性
知识点名称4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区
一、BJT热阻与最大功耗
1. BJT功耗与结温(3)稳定结温Tj
稳定时,结温Tj达到稳定值保持不变,使得功耗PC通过热流全部散发,即
PC=PTd?
(Tj?Tamb)
?j?amb
则结温达到稳定值为:Tj?PC?j?amb?Tamb
显然,对一定的功耗PC ,热阻越小,由于散发热量能力越强,结温越低。
半导体器件物理(I)
59第4章 - 8BJT热阻与最大功耗 - 图文
知识点名称半导体器件物理(1)第4章BJT功率特性知识点名称4-4BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区功率BJT即使工作电流未超过发射极条长允许的最大电流值、同时工作电压也未超过击穿电压BVCEO,但是如果功耗过大或者发生二次击穿,也会导致器件的烧坏。半导体器件物理(I)第4章BJT功率特性知识点名称4-
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