第 8 章
存储器与可编程逻辑器件
存储器概述
自测练习
1． 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。
2．
（ a） 位
（ b） 字节
（ c） 字
3． 指出下列存储器各有多少个基本存储单元多少存储单元多少字字长多少
（ a） 2K × 8 位 （ ）（ ）（ ）（ ） （ b） 256 ×2 位 （ ）（ ）（ ）（ ） （ c）
1M× 4 位
（
）（
）（
）（
） 3． ROM是（
）存储器。
（ a）非易失性 （ b）易失性
（ c）读 / 写
（ d） 以字节组织的
4．数据通过（
）存储在存储器中。
（a）读操作 （b）启动操作 （c）写操作 （d） 寻址操作
5． RAM给定地址中存储的数据在（
）情况下会丢失。 （ a）电源关闭
（ b）数据从该地址读出 （ c）在该地址写入数据
（ d）答案（ a）和（ c） 6．具有 256 个地址的存储器有（
）地址线。
（a）２５６条 （ b）６条
（ c） 8 条
（ d）7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（
）。
（ a）２５６×１位 （ b）２５６×８位
（c）１Ｋ×４位
（d）２Ｋ×１位
条
16
答案： 1． a
2．（ a） 2048 × 8；2048 ； 2048； 8
（ b） 512 ； 256；256； 2
（ c） 1024 × 1024× 4； 1024× 1024；1024 × 1024； 4
3．a 4．c 5．d 6．c 7．b
随机存取存储器（ RAM）
自测练习
1. 动态存储器 （ DRAM）存储单元是利用 （
）存储信息的， 静态存储器 （ SRAM）
）存储信息的。
DRAM必须定期进行2. 为了不丢失信息， （ 3. 半导体存储器按读、写功能可分成（ 4. RAM电路通常由（
）、（
）根地址线，（
5. 6116RAM有（
存储单元是利用（
）操作。 ）和（ ）和（
）两大类。 ）三部分组成。
）位。
）根数据线，其存储容量为（
答案：
1．栅极电容，触发器 2．刷新
3．只读存储器，读 / 写存储器 4．地址译码，存储矩阵，读 5． 11，8， 2K×8 位
/ 写控制电路
只读存储器（ ROM）
自测练习
1． ROM可分为（
组成部分。
）、（
）、（
）和（
）几种类型。
）共三个
2． ROM只读存储器的电路结构中包含（
）、（
）和（
3． 若将存储器的地址输入作为（
可实现组合逻辑电路的功能。
），将数据输出作为（ ），则存储器
4． 掩膜 ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（ 5． 28256 型 EEPROM有（
）根地址线，（
）。
）根数据线，其存储容量为
（
）位，是以字节数据存储信息的。
6． EPROM是利用（）擦除数据的，
EEPROM是利用（
）擦除数据的。
7． PROM/EPROM/EEPROM分别代表（ ）。
8．一个 PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。
9．存储器 2732A 是一个（
）（ EPROM， RAM）。
10．在微机中， 4 种存储类型为（ ）。
答案：
1． ROM， PROM，EPROM， EEPROM 2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路 3．输入，输出
4．标准与或形式（最小项表达式） 5． 15，8， 32K×8 6．紫外线，电
7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器
8．一次 / 许多 9． EPROM
10．寄存器，高速缓存，主存，外存
快闪存储器（ Flash Memory ）
自测练习
1． 非易失性存储器有（ ）。
2． （ a） ROM和 RAM
（b） ROM和闪存 （c）闪存和 RAM
3． Flash Memory 的基本存储单元电路由（
）构成，它是利用（
存信息，具有（ ）性的特点。 4． Flash Memory 28F256 有（ ）和（
）两种操作方式。
5． 从功能上看， 闪存是（
）存储器， 从基本工作原理上看， 闪存是（ 存储器。 6． Flash28F256 有（ ）根地址线，（
）根数据线，其存储容量为
7． （ ）位，编程操作是按字节编程的。
答案： 1． b
2．一个浮栅 MOS管，浮栅上的电荷，非易失
）保
）
数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案.doc
