３、以ＲＧＰ为例，有的公司以磷ˊ硼一次扩散，并在扩散中加入氮气及氧化（４：１）或（５：１）并适当的抽风换气，因硅在扩散氧化时会产生一些缺陷，如空洞，这些缺陷会有助于掺质子硅扩散速度，另外由于驱入是利用原子的扩散，因此其方向是多方均等，甚至有可能从芯片基座向外扩散（OUT–DIFFUSION），通氧气可阻止掺质硅向外扩散。
四、磷扩后清洗：（分片）
１、磷扩后堆栈之芯片会紧密的粘在一起，扩散时间越久粘紧程度越
严重，此工序乃利用氢氟酸（ＨＦ）与扩散间的杂质反应，逐渐渗透到芯片之间，达到芯片分离及去除表面杂质之附着。（ＨＦ）是强氧化的酸，可将磷扩后所形成的氧化层及磷纸中的含ＡＬ２Ｏ３等杂质反应而分离之。达到芯片分离及去除表面杂质之附着。
２、磷扩之浸泡，一般需８Ｈ以上，泡开后再以纯水清洗干凈之，
芯片表面可见明显之扩散花纹。
五、磷扩后吹砂（一次吹砂）
1、在磷扩后（Ｎ面），将会于Ｐ面边沿也附着一些磷源（ＣＲＯＳＳ OVER），并有氧化层存在，将影响下一工序（硼扩）之质量，故需利用吹砂或研磨之方式将其去除。
2、利用280#或400#、500#氧化铝砂（AL2O3）于0.4-1KG/CM2之压
力下（依据产品不同，压力不同）可去除芯片表面氧化层，压力、速度及砂材料在此工序中相当重要。 3、利用高速旋转的钻石磨头研磨方式，亦可达到去除芯片表面层
杂质的功能，且研磨方式所得到的芯片表面会较平滑，厚度控制也较准确，但产能远比吹砂慢数倍，除特殊产品外，一般可以用吹砂方式。
六、硼扩散：（B）
1、对芯片扩散制程而言，将三价元素硼（BORON.B）扩散入N型硅元素，远比将五价元素磷扩散来的重要且时间长多了，故依不同产品得到不同电压值，甚至VR值，则除了在芯片阻值选择（影响VR值，两成正比）外，扩散时间(时间越长，VR值越低，VF值越低)及芯片厚度三者之间密不可分，相互影响，故工程师对不同档次的产品，对阻值选择、厚度选择、扩散时间均有一定之规定。
2、在1260℃高温下，将硼纸中的硼元素（五介元素，常用的硼化
合物是氮化硼(BORON NITRIDE BN) 扩散入硅片中，由于三价元素和电子之间的填补作用，而称为电洞传导，亦使硅的导电性增加而形成P形层。
七、砍砂后清洗：
1、由于吹砂后于芯片表面附着大量砂粉，甚至油污（高压空气内）
此道工序利用超声波及碱性清洁济，如哈摩液（HAEM-SOL）等，重
复多次的清洗，而达到去除表面层粒子之功能。
八、硼扩前清洗：
1、对芯片之PIV及VF而言，硼扩是相当重要的一个工序，吹砂和研磨后所遗留于芯片表面的污染杂质及氧化物等，需在此工序以20％之稀释氢氟酸浸泡约6分钟，再以超纯水清洗之，在水质大于8M奥姆时，方可转至下一工序。
2、部分较重要之产品，甚至以RCA清洗制程清洗制程，即SCI（碱
洗）+SC2（酸）洗）
3、SCI→纯水+氨水+双氧水（5：1：1）90℃＊10分钟。 4、SC2→纯水+盐酸+双氧水（5：1：1）90℃＊10分钟。 5、SCI+ SC2可有效去除微粒子、金属、有机物等。 待续
白金（黄金）金水异常电 7 扩散进行白性不良 TRR异常 金（黄金）扩 散以符合产 TRR分散 品电性规格 7 金属不均匀 金水异常 3 N/A 芯片前处理不凈 5 作业员抽检外 观 上金旋转头异常 2 作业员自检旋 转头 上金转速异常 4 作业员自检转速 作业员操作不当 2 N/A 芯片扩散前，氮气 作业员自检氮 TRR异常 7 未打开 1 气设定 芯片氧化 上金后芯片放置4 规定放置时间 过久 扩散温度异TRR异常 常 电性不符 9 扩散炉恒温不足 2 维修定期 产品规格 机械良率低 porfil 5 研磨头下降速度3 作业员自检速太快 度表 5 研磨头高度设定异常 3 作业员自检高度设定表 研磨以研磨芯片破片 方式减薄芯 片N面，以达 到所需之厚 度
金扩散制程技术
一、金扩散的目的：
减少晶体管集电路区的少数载流子寿命，缩短贮存时间（即逆向恢复时间） 获得比较低的TRR值。 二、金扩散的原理: 扩散方式：
金在硅中的扩散，以填隙-替位分解扩散的方式进行，即当金在硅中扩散时，
既有填隙式又有替位式，当填隙式金原子(Au1)遇到晶格空位（V）时，可以被空位俘获成为替位式的金原子（Au2）或相反。这一反应过程可用下式表示：
Au1+V Au2
三、白金与黄金扩散的特性差异：
1．黄金与白金比较，白金在硅中有较高的固溶度[Pt为5＊1017（cm-3），Au
为1017（cm-3）]并有更快的扩散速率，可见，要获得相同的TRR，白金的扩散温度要低于黄金的扩散温度。 2. 白金的漏电流比黄金小。
3. 相同的TRR条件下，白金扩散的比黄金扩的VF高。 四、目前我公司金扩散制程简介： 1.扩散源：Au900与pt920金水。
2.上金前清洗（20％HCL漂洗6min）→上金（采毛笔沾取适量金水刷涂于旋
转的芯片P面，旋转头转速为1500±100转/分钟，10 see）→P面相对将芯片迭好→金扩散（N2气流量设定5L/min）→金扩散清洗。
黄金清洗－纯HF酸冲漂洗30秒→纯水涮洗→HF：HCL=1：1酸漂洗
10min→纯水涮洗→611酸洗15秒。
白金清洗－1：1混酸漂洗1分钟→纯水涮洗→50％HF洗15秒→纯
水涮洗→611酸洗15秒。
五、金扩散后TRR异常之可能原因及措施： 序号 可能原因 措施 控制金水储存条件≦4℃及使用期限（针对稀释之白金水）新进之金水需经IQC下线试作合格后方能使用 1 金水异常 2 上金前芯片表面洁凈度认真检查吹砂后或清洗后之芯片外观 差： HCL漂洗后之芯片放置氮气柜或转移盒中且4A．吹砂不良或吹砂清洗不小时内上完金 良 B．芯片表面氧化 3 扩散时氮气未打开致芯片扩散前检查氮气流量6±1 L/min 氧化 4 扩散炉恒温不足
在职训练成效调查表
学员姓名 课程名称 评 分 者 1、酸蚀的目的？
（1）将切割后晶粒P/N面洗出，使整流器之整流特性得以体现 （2）将晶粒四周之机械伤害及脏污去除 2、混合酸有哪此成份？各单酸的作用？ 混合酸包含HNO3，HF，CH3COOH，H2S04
HF/HNO3的作用：HNO3与硅生成氧化物，再HF蚀刻二氧化硅 4HNO3+Si→SiO2+4NO2+2H2O（SiO2不易溶解） 4HF+ SiO2→SiF4+2H2O（SiF4可溶） CH3COOH与H2SO4都具有缓冲作用 3、混合酸蚀完毕后冲水有什么作用？
得 分 所属单位 考试时间 控制面板温度与实际温度差小于3℃；每周校验戍温棒 混合酸中各单酸除与芯片发生以上反应产生SiF4外，还会与Cu（引线）Pb（焊片的主要成份反应，产生CuSO4结晶及醋酸铅白色粉未，附着于晶粒上，此道冲水就是将以上杂质冲去
4、酸蚀过轻/过度会对晶粒之电性表现有什么影响？
酸蚀不足时，硅芯片侧面的伤痕无法蚀洗干凈，造成逆向漏电，电性会呈现RD，PIV不足现象，酸蚀过度时，使晶粒的表面积过小，VF过高，而且会造成金属和晶粒接触部分脆弱这种情形的电场分布也不会均匀，受到外力时容易崩裂，从而造成很大的逆向漏电，酸蚀前后硅芯片的大小差，最好在5mil左右，我们现在控制的范围在5～10mil
（1 8 4 C 0 5 B）
半导体芯片镀镍技术及peeling 处理
