欧阳育创编 2024.02.04 欧阳育创编 2024.02.04
晶振串连电阻与晶振并联电阻的作用
时间：2024.02.04 创作：欧阳育 一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放年夜器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益年夜于即是1，晶体才正常工作。 晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反响，包管放年夜器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出真个电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，避免反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串连的电阻经常使用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并招致晶振的早期失效，又可以讲drivelevel调整用。用来调整drivelevel和发振余裕度。晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反响，包管放年夜器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出真个电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，避免反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反响回路，形成放年夜器，当晶体并在其中会使反响回路的交流等效依照晶体频率谐振，由于晶体的Q值很是高，因此电阻在很年夜的规模变更都不会影响输出频率。过去，曾试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不克不及驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反响到输入端形成负反响,构成负反响
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放年夜电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻年夜还是电阻小对晶体的阻抗影响小年夜?
下图所示的一个晶振电路中， 电路在其输出端串接了一个2M欧姆的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M欧姆的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放年夜器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益年夜于即是1，晶体才正常工作。
晶体的Q值很是高, 如何理解Q值高呢？ 晶体的串连等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^4量级。为了避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较年夜，一般是几百K。串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反响的，有的是为过EMI的对策 。可是转化为 并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越年夜，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很年夜很年夜。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 ＞ 增年夜了Re ＞ 降低了Q。
通过精确的阐发还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。
最后让我总结下晶振串连电子和并联电阻的四年夜作用：
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1、电阻取值影响波形的脉宽。
2、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；
3、配合IC内部电路组成负反响、移相，使放年夜器工作在线性区；
4、限流避免谐振器被过驱。
请问单片机晶震旁的2个电容有什么要求吗?
这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下， 振荡频率才干包管在标称频率邻近的误差规模内。 最好依照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易 起振。 在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的年夜小来微调振荡频率，固然 可调规模一般在10ppm量级。 串电阻是降低驱动功率，避免过激励，并电阻是为了帮忙起振，串的电阻一般都是百欧姆级，并的一般都上M，很怀疑楼主这个电路是否能正常工作。
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晶振串联电阻与晶振并联电阻的作用_HOSONIC晶振之欧阳育创编
