张掖市职业中等专业学校
《电子技术》一轮复习教学设计
课题 授课人 教学目标 1.1二极管（一） 李红艳 课型 复习 课时安排 1、2 总课时 1、2 授课班级 2015级信息班、工业班 1、了解二极管的结构、电路符号及引脚； 2、掌握半导体的相关知识并牢记其基本概念 教学重点 单向导电性与伏安特性及重点习题训练巩固 教学难点 理解二极管的单向导电性与伏安特性 教学方法 归纳梳理、讲练结合；以考点为主干，重点内容加强理解、练习。 或思路 运用课本、复习资料等教具，研究考纲，突出重点、考点，主要以考点教具与教梳理讲解为主，穿插练习、强调部分重点知识，通过深入浅出，循序渐进学手段 方式，让学生在复习基础知识的同时了解考题形式，并学习解题技巧及解题思路。 教 学 设 计 注意：PN结具有单向导电性 知识（技能）及教法、学法设计 一、考点梳理 二次备课 考点1：半导体的奇妙特性 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅、锗等，其导电能力受多种因素影响。 热敏特性——温度升高，导电能力明显增强。 光敏特性——光照越强，导电性能越好。 掺杂特性——掺入杂质后会改善导电性。 考点延伸：杂质半导体的形成及其特点 P型半导体：掺入+3价的硼元素，多子为空穴，不带电 N型半导体：掺入+5价的磷元素，多子为自由电子，不带电 考点2：二极管结构与电路图形符号 考点3：二极管的单向导电特性 1．单向导电特性：加正向电压二极管导通，加反向电压二极管截止 2．伏安特性曲线：二极管两端的电压、电流变化的关系曲线，即二极管的伏安特性曲线。 （1）正向特性：正向电压较小，这个区域常称为正向特性张掖市职业中等专业学校
教 学 设 计 的“死区”。硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0.2V。 正向电压超过“死区”电压后，电流随电压按指数规律增长。 管约为0.3V。 （2）反向特性：当加到二极管两端的反向电压超过某一规 此时，两端电压降基本保持不变，硅二极管约为0.7V，锗二极定数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿现象，该反向电压称为反向击穿电压，用U（BR）表示。 I/mA 反向漏电 流很小 （?A级） 0 导通压降: 硅管0.6~0.7V 锗管0.2~0.3V UD/V 反向击穿 电压U(BR) 死区电压: 硅管0.5V 锗管0.2。 注意： 1.二极管的基本特性是单向导电性。 2.二极管加正向电压不一定导通，正向电压必须达到死区电压才能导通 3.二极管的电压与电流变化不成线性关系，其内阻不是常数，所以说二极管属于非线性器件 二、课堂练习（单人提问） 1.半导体的三个特性是： 、 、 2.二极管的正极电位是10V，阴极电位是5V，则该二极管处于_________。 3. PN结具有单向导电特性，即PN结正向偏置时 ，反向偏置时 。 4锗二极管的导通压降为_________V;硅二极管的导通压降为_________V。 5.如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为________半导体。 6.理想二极管正向导通时，其压降为 V；反向截止时，其电流为 μA。 7.二极管的主要特性是具有 。二极管外加正向电压超过死区电压以后，正向电流会 ，这时二极管处于 状态。 张掖市职业中等专业学校
三、课堂小结 四、课后作业 一、单项选择 1.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。 A.硅元素 B.硼元素 C.磷元素 D.锂元素 2.二极管的导通条件 。 A.uD>0 B.uD>死区电压 C.uD>击穿电压 D.都不对 3.以下情况中，二极管(硅管)会导通的是( ) 4.二极管正向电阻比反向电阻( ) A.大 B.小 C.一样大 D.无法确定 5.当硅二极管加上0.4V正向电压时，二极管相当于（ ） A.很小的电阻 B.很大的电阻 C.短路 6.当PN结两端加正向电压时，参加导电的是（ ） A.多数载流子 B.少数载流子 C.以上都有 7.在杂质半导体中多子的数量与( )有关。 A.掺杂浓度 B.温度 C.PN结面积 D.不确定 8.当温度升高时，少子的数量( )。 A. 减少 B. 不变 C. 增多 D. 不确定 9.下列关于二极管说法正确的是（ ） A.加正偏电压一定会导通 B.加反偏电压一定会被击穿 C.正偏电压越大，电流越大 D. 二极管是非线性器件 10.半导体具有单向导电性。（ ） 11.漏电流越大，二极管的单向导电性越好。（ ） 教后反思 教研组长审批意见 审批 包组领导审批意见
1.1 二极管（第1、2课时） - 图文
