CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究

CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究

龙恩;陈祝

【期刊名称】《电子工艺技术》 【年(卷),期】2008(029)003

【摘要】CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出.闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效.首先分析了CMOS电路结构中效应的产生机理及其触发方式,得到了避免闩锁效应的条件.然后通过对这些条件进行分析,从版图、工艺等方面考虑如何抑制闩锁效应.最后介绍了几种抑制闩锁效应关键技术方案. 【总页数】4页(142-145)

【关键词】闩锁效应;CMOS电路;版图;工艺 【作者】龙恩;陈祝

【作者单位】成都信息工程学院,四川,成都,610225;成都信息工程学院,四川,成都,610225 【正文语种】中文 【中图分类】TN4 【相关文献】

1.CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施研究 [J], 龙恩; 陈祝 2.CMOS电路锁定失效的一般性防止措施研究 [J], 梁洪涛

3.采用ITLDDFET结构的超大规模CMOS集成电路工艺 [J], 初桂珍 4.基于CMOS工艺的AES高速接口电路设计 [J], 施佺; 孙玲; 陈海进

5.CMOS模拟集成电路匹配技术及其应用 [J], 吴大勇; 马琪; 蒋平

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