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一种新型超宽共模输入范围放大器设计

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一种新型超宽共模输入范围放大器设计

余国义;张乐;郑梅军;钟建福

【期刊名称】《电子器件》 【年(卷),期】2012(035)005

【摘要】在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器.此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放大前共模电平趋近参考共模电平,可扩大输入共模电平范围,并有利于OP core性能保持稳定.电路采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计,利用Cadence仿真,结果表明:在3.3V电源电压下,输入共模范围为-1.5 V~4.8 V,开环增益为74 dB,单位增益带宽为11.4MHz,相位裕度为74°.%On base of analyzing the general input stage structure of the CMOS operational amplifier with ultra-width input common-mode range(ICMR) .designing of a novel kind of CMOS circuit structure an operational amplifier with ultra-width ICMR has been realized.By the amplifying feedback difference level between the input CM and the input reference common-mode level and feedbacking it to input, the input common-mode ( CM) of OP core would approach the reference common-mode level, which can make a ultra-width ICMR, and the performances of OP core stable.This circuit was designed in TSMC 0.13 |xm CMOS process technology, and simulated by Cadence.The simulated result shows that while the supply power was 3.3 V,the range of input CM was -1.5 V ~4.8 V,the open-loop gain was

74 dB,the GBW was 11.4 MHz,and the PM was 74°. 【总页数】5页(504-508)

【关键词】运算放大器;超宽共模输入范围;输入级;CMOS工艺 【作者】余国义;张乐;郑梅军;钟建福

【作者单位】华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉430074 【正文语种】中文 【中图分类】TN433 【文献来源】

https://www.zhangqiaokeyan.com/academic-journal-cn_chinese-journal-electron-devices_thesis/0201235087797.html 【相关文献】

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一种新型超宽共模输入范围放大器设计

一种新型超宽共模输入范围放大器设计余国义;张乐;郑梅军;钟建福【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2012(035)005【摘要】在分析传统CMOS宽共模输入级结构基础上,设计了一种新型CMOS电路结构实现超宽共模输入范围(ICMR)的运算放大器.此设计通过提取输入共模电平与参考共模电平比较放大,反馈到输入信号端,使信号在放
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