现在放置vdd,如下图,点击Add的Instance,或者直接按键i。
将出现下面的对话框:
如果不知道库名和Cell名,就点击Browse,出现如下:
Vdd在analogLib库里面,找到vdd,选择View为symbol,然后将此窗口关掉,然后会发现,在Addinstance窗口中已经将vdd的相关信息加入进来了,如下图,同时vdd已经悬浮在鼠标上,可以点击Hide将此窗口隐藏,然后可以随便放置vdd了。
同样的原理放置gnd。记得使用i来添加instance的方法。vdc是直流电压,也在analogLib库里面,同样放置,vpulse是方波发生器,也在analogLib库里面,同样放置,放完后如下图:
然后就是仿真mos管了,使用的是tsmc18rf的库,元件名是nmos2v和pmos2v
可以看得出来,库名是tsmc18rf,库里面有很多元件,即很多Cell,每一个Cell又有很多模型。所有的放置完后如下图:
按w键,开始连线,连线完后如下图
注意mos管的B极别忘了接。从左上角的Cmd可以看到当前使用的是什么命令。接下来就是要设置参数了。
单击V0将它选择,按q键,则弹出它的属性对话框如下:
V0是直流电压,我们用的是0.18um的工艺库,电源电压是1.8V,这里只要设置DCvoltage为1.8就可以了,这个软件所以参数的设置就不用最好的单位,比如1.8V只要些1.8就可以了,加了V反而错了。再如10ns只要些10n就可以了。点击OK退出。
然后点击V1,按q键,打开V1的属性如下:
这里需要设置的参数多些,方波嘛,有两个电压,这里设置的voltage1为0,2为1.8V,后面的单位都是系统加上的。Delaytime是延时时间,risetime是上升时间,falltime是下降时间,pulsewidth是脉冲宽度,也就是voltage2的持续时间,period是方波的周期,这样,一个方波就被完全确定了。点击OK退出。然后是MOS管的参数,如下:
主要是设置宽和长,这里不改。
到这里参数是设置就结束了,原理图就画完了,记得按x键检查并保存。
接下来是仿真,打开仿真窗口,从原理图窗口中点击tools的analogEnvironment,如下图
出现如下窗口
这里面是主要的,所有仿真都在这里设置的,各个功能的介绍这里就不介绍了,参加其他教程。在我们的例子中,我们需要的是瞬态仿真。
下面设置瞬态仿真,点击analyses的choose...,如下图:
cadence入门教程
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