现在放置vdd，如下图，点击Add的Instance，或者直接按键i。
将出现下面的对话框：
如果不知道库名和Cell名，就点击Browse，出现如下：
Vdd在analogLib库里面，找到vdd，选择View为symbol，然后将此窗口关掉，然后会发现，在Addinstance窗口中已经将vdd的相关信息加入进来了，如下图，同时vdd已经悬浮在鼠标上，可以点击Hide将此窗口隐藏，然后可以随便放置vdd了。
同样的原理放置gnd。记得使用i来添加instance的方法。vdc是直流电压，也在analogLib库里面，同样放置，vpulse是方波发生器，也在analogLib库里面，同样放置，放完后如下图：
然后就是仿真mos管了，使用的是tsmc18rf的库，元件名是nmos2v和pmos2v
可以看得出来，库名是tsmc18rf，库里面有很多元件，即很多Cell，每一个Cell又有很多模型。所有的放置完后如下图：
按w键，开始连线，连线完后如下图
注意mos管的B极别忘了接。从左上角的Cmd可以看到当前使用的是什么命令。接下来就是要设置参数了。
单击V0将它选择，按q键，则弹出它的属性对话框如下：
V0是直流电压，我们用的是0.18um的工艺库，电源电压是1.8V，这里只要设置DCvoltage为1.8就可以了，这个软件所以参数的设置就不用最好的单位，比如1.8V只要些1.8就可以了，加了V反而错了。再如10ns只要些10n就可以了。点击OK退出。
然后点击V1，按q键，打开V1的属性如下：
这里需要设置的参数多些，方波嘛，有两个电压，这里设置的voltage1为0，2为1.8V，后面的单位都是系统加上的。Delaytime是延时时间，risetime是上升时间，falltime是下降时间，pulsewidth是脉冲宽度，也就是voltage2的持续时间，period是方波的周期，这样，一个方波就被完全确定了。点击OK退出。然后是MOS管的参数，如下：
主要是设置宽和长，这里不改。
到这里参数是设置就结束了，原理图就画完了，记得按x键检查并保存。
接下来是仿真，打开仿真窗口，从原理图窗口中点击tools的analogEnvironment，如下图
出现如下窗口
这里面是主要的，所有仿真都在这里设置的，各个功能的介绍这里就不介绍了，参加其他教程。在我们的例子中，我们需要的是瞬态仿真。
下面设置瞬态仿真，点击analyses的choose...，如下图:
cadence入门教程
