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大工13秋《模拟电子线路》在线作业一
一、单选题（共 10 道试题，共 60 分。）
V
1. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 不确定
满分：6 分
2. 对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。 A. 发射极 B. 基极 C. 集电极 D. 不确定
满分：6 分
3. 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
满分：6 分
4. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。 A. 处于饱和状态 B. 处于放大状态 C. 处于截止状态 D. 已损坏
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满分：6 分
5. 温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定
满分：6 分
6. 硅二极管完全导通后的管压降约为()。 A. 0.1V B. 0.3V C. 0.5V D. 0.7V
满分：6 分
7. 引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。 A. 输入电阻太小 B. 静态工作点偏低 C. 静态工作点偏高 D. 输出电阻太小
满分：6 分
8. 晶体管能够放大的外部条件是()。 A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 满分：6 分
9. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为()。 A. NPN型锗管
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B. PNP型锗管 C. PNP型硅管 D. NPN型硅管
满分：6 分
10. 反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能()。 A. 越好 B. 越差 C. 无变化 D. 不确定
二、判断题（共 10 道试题，共 40 分。）
V
1. 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。 A. 错误 B. 正确
满分：4 分
2. 射极输出器无放大功率的能力。 A. 错误 B. 正确
满分：4 分
3. 与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。 A. 错误 B. 正确
满分：4 分
4. 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。 A. 错误 B. 正确
满分：4 分
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大工13秋《模拟电子线路》在线作业一,二,三与答案100分
