（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410091123.0 （22）申请日 2014.03.13
（71）申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
地址 214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
（10）申请公布号 CN103824758A
（43）申请公布日 2014.05.28
（72）发明人 靖向萌;于大全
（74）专利代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 任益
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种减小硅通孔周围区域应力的方法
（57）摘要
本发明涉及一种如何减少硅通孔周围区域
应力的方法。硅通孔在制备过程中会经历刻蚀、侧壁绝缘、种子层沉积、通孔填充等工艺步骤，产生工艺残余应力，此外，由于铜与周围材料的热膨胀系数差别大，这些都会导致硅通孔的周围区域内出现一定的应力集中现象，这种应力会对硅通孔周围的半导体器件性能和可靠性带来不利影响。针对目前采用的退火的方式减少孔周围应力和应力影响范围的局限性，提出一种通过在硅
通孔外围一定区域内加工出一定深度以及特定形状的应力消除结构的解决方案。与现有技术相比，本发明的有益效果在于克服了退火方式消除应力的工艺复杂度，极大减小应力影响区域面积，只需在硅通孔周围一定区域内利用传统刻蚀方式开设特定结构的应力消除结构，就可以显著提高硅通孔的使用寿命以及外围器件的工作稳定性，具有工艺简单可靠、容易实现的优点。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
2014-05-28 公开 2014-05-28 公开
2014-06-25 实质审查的生效 2014-06-25 实质审查的生效
2017-10-31
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
一种减小硅通孔周围区域应力的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
一种减小硅通孔周围区域应力的方法
