第1章常用半导体器件
自测题
、判断下列说法是否正确，用
伙”和 V”表示判断结果填入空内。
可将其改型为 P型半导体。(V )
(1) 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，
(2) 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 (3) 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(X )
(X )
结型场效应管才能保证 其
(V )
(4) 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 (5)
外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压， RGS大的特点。(V )
(6)
管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。 、选择正确答案填入空内。
(1) 结加正向电压时，空间电荷区将
A.变窄
B.基本不变
(2) 稳压管的稳压区是其工作在
A.正向导通
C。
C.反向击穿 A。
若耗尽型N沟道 (X )
C.变宽
B.反向截止
(3) 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
B。
C.前者正偏、后者也正偏
⑷0V时，能够工作在恒流区的场效应管有
A.结型管 B.增强型管
A、Cc
C.耗尽型管
0.7V。
三、写出图.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压
MT~?
D 1
2v-±* /?n g
------- 0 --- o
图 T1.3
解：i=1.3V,
2=0V,
31.3 V, 4=2V,
5=1.3V,
62V。
四、已知稳压管的稳压值 6V,稳定电流的最小值 5。求图.4所示电路中i和2各为多
少伏。
(b)
图 T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故
右图中稳压管没有击穿，故 2=5V。
五、电路如图T1.5所示，15V， 试问：
(1) 50小时，? ⑵若T临界饱和，则？
=100，0.7V。
i=6V。
-o
解：⑴*
UBE
=26」A，
+
Rb
%
lc = 01B =2.6mA, UO二Vcc -IcRc =2V。
BE
图 T1.5
⑵?/ ICS=Vcc U = 2.86mA , IBS = Ics / - - 28.6\
Rc
...&=V SE =45.52
BB
I
BS
六、测得某放大电路中三个 管的三个电极的电位如 表.6所示，它们的开启电压也在
，并填入表内。
表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) 表 T1.6 AvV 口 吕号 0 工作状态
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
