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MB85RC64中文(最新整理)

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铁电存储器MB85RC64(8K×8)

1.概述

MB85RC64了FRAM(铁电随机存取记忆体)独立芯片配置了8192×8位,形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。

MB85RC64采用两线串行接口(与世界标准的I2C总线兼容)。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池,能够保留数据。

MB85RC64的读写次数10亿次,与EPROM和FLASH相比,有显著的改善。而且不在向写完存储器后,不需要查询序列。

2.特性

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位操作:8192×8位工作电压:2.7V—3.3V工作频率:400KHz

两串行总线:I2C总线2.1标准版,支持标准模式和快速模式,由SCL和SDA控制。工作温度范围:-40℃—85℃数据保持:10年(55℃)读写寿命:至少每位10亿次

封装:Plastic / SOP, 8-pin (FPT-8P-M02)

低电压消耗:工作电流0.15mA,待机电流5uA

3.管脚分配

3.管脚功能描述

管教编号管脚名功能描述器件地址一个I2C总线可以连接8个和MB85RC64类似的器件。通过将A0/A1/A2与VDD和VSS连接,确定每个器件的地址。如果A0/A1/A2未连接,默认为0。CPU通过SDA线输出一个地址与器件进行匹配。数字地数据IO串口 这是双向通信的数据IO口,用来读写铁电存储器的阵列数据,这是开漏极输出,可能是与其它漏极开路(或者集电极开路信号总线)进行线或运算,因此需要一个上拉电阻连接到外部电路。时钟串口 这是时钟输入口,时钟上升沿进行数据采样,下降沿进行数据输出。写保护 WP是H电平,禁止写入。WP是L电平,可进行写数据,如果WP没有置位,默认为L电平。而读数据操作,不受WP管脚的限制。电源电压1—3A0/A1/A24VSS5SDA6SCL7WP8VDD4.模块框图

5.I2C电路

MB85RC64有两线串行接口,支持I2C总线,并作为从器件工作。I2C总线定义的“主机”和“从机”设备的沟通角色,主机启动总线控制权。此外,通过I2C总线,在一个主机可以连接多个从器件。在这种情况下,必须给从器件分配一个唯一的设备地址。

6.I2C通信协议

I2C总线是双线串行接口,采用了双向数据总线(SDA)和串行时钟(SCL)。数据传输只能由总线主机,这也将提供串行时钟的同步启动。SCL为低电平时,SDA信号应该改变。然而,作为一种例外,启动和停止时的通信序列,SDA被允许改变当SCL为高电平。

?启动条件:

开始时,SCL为稳定高电平,SDA产生下降沿。?停止条件:

停止时,SCL为稳定低电平,SDA产生上升沿。停止条件是终止从设备和主机通信。MB85RC64不需要像内部写存储器像E2PROM花时间去查询序列,因此当写停止命令结束,设备进入待机模式。

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响应(ACK)

I2C总线的8位串行数据包含了地址和存储信息,响应信号是8位数据是否发送和接收成功的标志。当8位数据成功进行传输,在第9个时钟脉冲时,信息接收端通常产生一位低电平L;在信息发送端,第9个时钟脉冲允许释放一个H-Zi的时间,接收并校验。在释放H-Zi期间,如果SDA被置低电平L,先前发送的8位数据被成功接收。

如果在响应信号置低电平L之前,检测到停止信号,I2C总线停止读写,进入待机模式。如果没有停止命令,响应信号未出现低电平L,那么总线保持不动作。

MB85RC64中文(最新整理)

铁电存储器MB85RC64(8K×8)1.概述MB85RC64了FRAM(铁电随机存取记忆体)独立芯片配置了8192×8位,形成铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术非易失性内存中的细胞。MB85RC64采用两线串行接口(与世界标准的I2C总线兼容)。与SRAM不同的MB85RC64是无需使用数据备份电池,能够保留数据。MB85RC64的读写次
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