2015-2016第二学期《微电子制造工艺技术》考查卷
班级_________姓名_________学号_____成绩______
一、 名词解释（共25分）： 1．请阐述摩尔定律的内容。(4分） 2．请对如下英文缩写给出简要解释： IC: SSI: MSI: LSI: VLSI: ULSI: GSI:
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3分） （每空二、 简答题（每题5分，共25 分）： 1、半导体工业由那几部分构成？ 2、物质的状态分为几种？分别是什么？ 3、晶体缺陷主要有几种？ 4、请描述热处理的工艺过程?
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5、光刻的目的是什么?
三、 简述题（每题15分，共30 分）： 1、请描述光刻的工艺流程。 2、防止人员污染的措施有哪些？
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四、 计算题（ 20 分）： 假设晶元生产良品率90%，晶圆电测良品率70%，晶圆封装测试良品率92%，请计算晶圆整体良品率。
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2015-2016第二学期《微电子制造工艺技术》考查卷答案
一、名词解释（共25分）： 3．答：摩尔定律：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。(4分） 4．请对如下英文缩写给出简要解释：（每空3分） IC:集成电路 SSI:小规模集成电路 MSI:中规模集成电路 LSI:大规模集成电路 VLSI:超大规模集成电路 ULSI:特大规模集成电路 GSI:巨大规模集成电路 二、简答题（每题5分，共25 分）： 1、半导体工业包括材料供应商、电路设计、芯片制造和半导体工业设备及化学品供应商。 2、物质有4种状态：固态、液态、气态和等离子态。 3、晶体缺陷主要有点缺陷、位错、层错、微缺陷。 4、热处理是简单地讲晶圆加热或冷却来达到特定结果的工艺过程。 5、光刻的目的：在半导体基片表面，用图形复印和腐蚀的办法制备出呵护要求的薄膜图形，以实现选择扩散或注入、金属膜不限或表面钝化等目的。
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三、简述题（每题15分，共30 分）： 1、请描述光刻的工艺流程。 基片前处理→涂光刻胶→前烘→曝光→显影→后烘→刻蚀→去胶 2、防止人员污染的措施有哪些？ 1）把工作人员完全包裹起来：选择无脱落材料全封闭的洁净服。 2）严格遵守穿衣顺序。 四、计算题（ 20 分）： 整体良品率=90% × 70% × 92% =57.96% 6
微电子制造工艺技术试卷
