4. 添加静力分析 5. 添加约束
将下部两个很窄的面设置为Fixed。
6. 添加载荷
将扣件接触面设置为位移载荷。位移大小为0.25毫米。
7. 设置求解类型
在Solution里添加一个Force Reaction（insert-probe-force reaction ） 在Force Reaction的设置里，
Location Method 设置为 Boundary Condition 设置为Displacement 只研究Y向
设置为Single Time Point
8. 进行求解
例3芯片组热分析
如图为一芯片装配体：黄铜散热片，陶瓷芯片，黄铜终端连接器。陶瓷芯片产热，陶瓷芯片外表面及黄铜散热片一对流方式向环境散热。黄铜散热片的对流系数为250W/m2·k，温度为27℃，陶瓷芯片的对流系数为100W/m2·k，温度为27℃。当芯片产热为25W时20s后产生的温度变化。
边界条件
1 导入几何模型，进入DS模块 2 材料设置
散热片和终端连接器选黄铜
芯片编辑材料为杨氏模量=1.124e11pa 泊松比=0.25 密度2.33e-6kg/mm3 热膨胀系数1.2e-6 比热200J/kg0c 热导率=0.124 3 设置接触
接触类型为Bonded 4 网格划分 5 选择分析类型
·在“New Analysis”中选择稳态热分析 6 施加约束
·点击“convection”，选择芯片，设置对流系数为2.5e-4W/mm2·℃，温度为27℃
·点击“convection”，选择连接器，设置对流系数为1e-4W/mm2·℃，温度为27℃
·点击“heat”，选择“internal heat generation”，设置芯片magnitude为25/1417 5 设定求解类型 1）求解变形
·点击“temperature”，求解温度场 ·点击“total heat flux”，求解热流 6 单击“Solve”求解 7 观察求解结果
例4 壳分析
?问题描述:
–模型由一个表示控制盒的外壳的Parasolid文件组成(见图)。外壳受外压作用(1 Mpa)，即施加1MPa压力载荷作用在外壳cover的17个外表面在沉孔施加约束，壳的底部面，内表面使用无摩擦支撑约束。材料为铝合金。
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