第3章 电气特性
3.1 测试条件
除非特殊说明和标注，所有电压都以VSS为基准。
所有最小值和最大值将在最坏的环境温度、供电电压和时钟频率条件下得到保证。典型数值是基于常温和VDD = 3.3环境下，可用于设计指导。
对于通过综合评估、设计模拟或工艺特性得到的数据，不会在生产线进行测试。在综合评估的基础上，最小和最大值是通过样本测试后统计得到。
常温环境：25℃ 供电方案：
图3-1 常规供电典型电路
3.2 绝对最大值
临界或者超过绝对最大值将可能导致芯片工作不正常甚至损坏。
表3-1 绝对最大值参数表
符号 TA TS VDD-VSS VIN
11111
描述
工作时的环境温度 存储时的环境温度
外部主供电电压（包含VDDA和VDD） 引脚上的输入电压
最小值 -40 -40 -0.3 VSS-0.3
4000
最大值 85 105 5.5 5.5 50 50 50
单位 ℃ ℃ V V mV mV V mA
|△VDDx| 不同供电引脚之间的电压差 |VSSx-VSS| 不同接地引脚之间的电压差 VESD(HBM) IVDD
21
ESD静电放电电压（人体模型，非接触式） 经过VDD/VDDA电源线的总电流（供应电流）
IVss IIO
1
2
经过VSS地线的总电流（流出电流） 任意I/O和控制引脚上的输出灌电流 任意I/O和控制引脚上的输出电流
50 25 -25
注：1.设计参数。 2.正常工作能达到最大电流值。
3.3 电气参数
3.3.1 工作条件
表3-2 通用工作条件
符号 FHCLK FPCLK1 FPCLK2 VDD VDDA VBAT TA
12
参数
内部AHB时钟频率 内部APB1时钟频率 内部APB2时钟频率 标准工作电压
模拟部分工作电压（未使用ADC） 模拟部分工作电压（使用ADC） 备份单元工作电压 环境温度
条件 最小值
2.7 2.7 3.0 1.8 -40
最大值 72 36 72 5.5 5.5 5.5 85
单位 MHz MHz MHz V V V ℃
必须与VDD相同 不能大于VDD
注：1.设计参数。 2.电池到VBAT连线要尽可能的短。
表3-3 上电和掉电条件
符号 tVDD
VDD上升速率 VDD下降速率
参数
条件 最小值 0 50
最大值 ∞ ∞
单位 us/V us/V
注：电池到VBAT连线要尽可能的短。
3.3.2 内嵌复位和电源控制模块特性
表3-4 复位及电压监测器
符号 参数 条件
PLS[2:0] = 000(上升沿) PLS[2:0] = 000(下降沿) PLS[2:0] = 001(上升沿) PLS[2:0] = 001(下降沿) PLS[2:0] = 010(上升沿)
最小值
典型值 2.65 2.5 2.87 2.7 3.07 2.89 3.27 3.08 3.46 3.27 3.76 3.55
最大值
单位 V V V V V V V V V V V V
VPVD
2
可编程电压检测器的电平选择
PLS[2:0] = 010(下降沿) PLS[2:0] = 011(上升沿) PLS[2:0] = 011(下降沿) PLS[2:0] = 100(上升沿) PLS[2:0] = 100(下降沿) PLS[2:0] = 101(上升沿) PLS[2:0] = 101(下降沿)
PLS[2:0] = 110(上升沿) PLS[2:0] = 110(下降沿) PLS[2:0] = 111(上升沿) PLS[2:0] = 111(下降沿)
VPVDhyst PVD迟滞
VPOR/PDR 上电/掉电复位阈值 VPDRhyst PDR迟滞 tRSTTEMPO 复位持续时间
注：1.设计参数 2.常温测试值。 1111
40 16
4.07 3.84 4.43 4.18 0.2 2.5 2.42
110 44
V V V V V V V mV mS
上升沿 下降沿
3.3.3 内置的参考电压
表3-5 内置参考电压
符号 VREFINT TS_vrefint
参数
内置参考电压
当读出内部参考电压时，ADC的采样时间
条件
TA = -40℃～85℃
最小值 1.12 0.107
最大值 1.28 17.1
单位 V us
3.3.4 供电电流特性
电流消耗是多种参数和因素的综合指标，这些参数和因素包括工作电压、环境温度、I/O引脚的负载、产品的软件配置、工作频率、I/O脚的翻转速率、程序在存储器中的位置以及执行的代码等。
电流消耗测量方法如下图：
图3-2 电流消耗测量
微控制器处于下列条件：
常温情况下，VDD = 3.3V，所有IO端口配置上拉输入，使能或关闭所有外设时钟的功耗，没有初始化外设功能。
表3-6 运行模式下典型的电流消耗，数据处理代码从内部闪存中运行
符号 IDD
参数 运行模式下的
供应电流
外部时钟
条件
FHCLK = 72MHz FHCLK = 48MHz
典型值
使能所有外设 关闭所有外设
16.24 11.57
12.75 9.26
单位 mA
FHCLK = 36MHz FHCLK = 24MHz FHCLK = 16MHz FHCLK = 8MHz FHCLK = 4MHz FHCLK = 500KHz FHCLK = 64MHz FHCLK = 48MHz
运行于高速内部RC振荡器（HSI），使用AHB预分频以减低频率
FHCLK = 36MHz FHCLK = 24MHz FHCLK = 16MHz FHCLK = 8MHz FHCLK = 4MHz FHCLK = 500KHz
注：以上为实测参数 9.63 7.58 5.53 3.50 2.64 2.04 14.17 11.16 8.77 6.45 4.93 2.95 2.19 1.52
7.98 5.94 4.64 2.97 2.40 2.01 11.08 8.72 6.98 5.26 4.13 2.57 2.00 1.50
表3-7 睡眠模式下典型的电流消耗，数据处理代码从内部闪存或SRAM中运行
符号 参数 条件
FHCLK = 72MHz FHCLK = 48MHz FHCLK = 36MHz
外部时钟
FHCLK = 24MHz FHCLK = 16MHz FHCLK = 8MHz FHCLK = 4MHz FHCLK = 500KHz FHCLK = 64MHz FHCLK = 48MHz
运行于高速内部RC振荡器（HSI），使用AHB预分频以减低频率
FHCLK = 36MHz FHCLK = 24MHz FHCLK = 16MHz FHCLK = 8MHz FHCLK = 4MHz FHCLK = 500KHz
典型值
使能所有外设 关闭所有外设
9.96 7.32 6.34 5.16 4.14 2.68 2.34 1.93 8.80 7.06 5.73 4.42 3.60 2.30 1.90 1.54
5.74 4.55 4.29 3.49 3.16 2.21 2.04 1.89 4.95 4.16 3.56 2.96 2.63 1.82 1.66 1.52
单位
IDD
睡眠模式下 的供应电流 （此时外设供电和时钟保持）
mA
注：以上为实测参数
表3-8 停止和待机模式下典型的电流消耗
符号 参数 条件
调压器处于运行模式，低速和高速内部RC振荡器及外部振荡器都处于关闭状态（没有独立看门狗）
典型值 单位
IDD 停止模式下的供应电流 455 uA
调压器处于低功耗模式，低速和高速内部RC振荡器及外部振荡器都处于关闭状态（没有独立看门狗） 低速内部RC振荡器和独立看门狗处于开启状态
低速内部RC振荡器处于开启状态，独立看门狗处于关闭状态 低速内部RC振荡器和独立看门狗处于关闭状态，低速外部振荡器和RTC关闭状态
IDD_VBAT
备份区域的供应电流 （移除VDD和VDDA，只使用VBAT供电）
低速外部振荡器和RTC处于开启状态
2.3
3.3
待机模式下的供应电流
3.1
2.3
2.5
注：以上为实测参数
3.3.5 外部时钟源特性
表3-9 来自外部高速时钟
符号 FHSE_ext VHSEH VHSEL Cin(HSE) DuCy(HSE)
11
参数
外部时钟频率
OSC_IN输入引脚高电平电压 OSC_IN输入引脚低电平电压 OSC_IN输入电容 占空比
条件 最小值 0.8VDD 0
典型值 最大值 单位 8 5 50
25 VDD 0.2VDD
MHz V V pF %
注：1.不满足此条件可能会引起电平识别错误。 图3-3 外部提供高频时钟源电路
表3-10 来自外部低速时钟
符号 FLSE_ext VLSEH VLSEL Cin(LSE) DuCy(LSE)
参数
用户外部时钟频率
OSC32_IN输入引脚高电平电压 OSC32_IN输入引脚低电平电压 OSC32_IN输入电容 占空比
条件 最小值 0.8VDD 0
典型值 最大值 单位 32.768 5 50
1000 VDD 0.2VDD
KHz V V pF %
Cortex-M3内核通用单片机CH32F103数据手册 - 图文
