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第 1、2 课时
课题 教学 目的 重点 难点 半导体特性、PN结、二极管 课型 了解半导体的特性和PN结的形成与特性 掌握二极管、稳压管的特性 PN结的形成与特性 二极管的伏安特性 教 学 过 程 一、 半导体的导电特性 1、光敏性、热敏性、可掺杂性 2、本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。 3、N型半导体 结构形成方式：掺入五价杂质元素使载流子数目增多，自由电子是多子 4、P型半导体 结构形成方式：掺入三价杂质元素使载流子数目增多，空穴是多子 二、 PN结的形成与特性 1、 形成过程 2、 特性：单向导电性 三、 二极管 1、结构、外形、分类： (1)按材料分:有硅二极管，锗二极管和砷化镓二极管等。 (2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。 (3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 2、主要参数 3、判别办法：用万用表欧姆档判别正、负极及好坏。 4、二极管的伏安特性。 5、特殊功能二极管：稳压管、发光二极管 课后 小结 半导体有自由电子和空穴两种载流子参与导电PN结具有单向导电性 普通二极管电路的分析主要采用模型分析法 稳压二极管和光电二极管结构与普通二极管类似，均由PN结构成。但稳压二极管工作在反向击穿区 第 3、4 课时
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文档收集于互联网，已重新整理排版.word版本可编辑,有帮助欢迎下载支持. 课题 半导体三极管 课型 教学 目的 重点 难点 1、 了解三极管的结构与特性；2、掌握三极管的类型和电流放大原理； 3、理解三极管的特性曲线和主要参数。 三极管的电流放大原理 三极管的输入输出特性 教 学 过 程 一、 三极管的基本结构和类型 二、三极管在电路中的联接方式 三、三极管的电流放大作用及原理 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。 1）发射区向基区发射电子的过程 2）电子在基区的扩散和复合过程 I3）电子被集电区收集的过程 二、 特性曲线和主要参数 1、输入特性： iB=f(uBE)C??IBuCE?常数 2、输出特性： iC=f(uCE)iB?常数 课后 小结 了解三极管的结构与特性；掌握三极管的类型和电流放大原理； 理解三极管的特性曲线和主要参数。 第 5、6 课时
课题 共发射极放大电路 课型 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.
文档收集于互联网，已重新整理排版.word版本可编辑,有帮助欢迎下载支持. 教学 1、了解电路的结构组成 目的 2、用图解法分析静态工作点和动态波形 重点 1、电流放大原理 难点 2、特性曲线 教 学 过 程 一、电路组成及各元件作用 三、三极管的基本结构和类型 二、图解法分析静态工作 1、直线:IBRB=UCC-UBE直线:UCC=ICRC+UCEQ、 三、动态波形分析 1、 2、在电路中的联接方式 四、极管的电流放大作用及原理 五、特性曲线和主要参数 1、输入特性 IE=IC+IB 2、输出特性 IE=f(UBE)|UCE:常数 IC=f(UCE)|IB:常数 3、 主要参数 课后 小结 了解共发射极放大电路的结构组成，及原理。熟练进行图解法分析放大器的静态工作点和动态波形。 第 7、8 课时
课题 共发射极放大电路的动态分析 课型 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.
文档收集于互联网，已重新整理排版.word版本可编辑,有帮助欢迎下载支持. 教学 了解微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数。 目的 重点 难点 微变等效法定量计算共发射极放大电路的动态参数 微变等效电路的画法 教 学 过 程 一、三极管的微变等效电路： 二、放大器的微变等效电路： 三、交流动态参数的计算：1、电压放大倍数 Au.=U0Ui.. 2.输入输出电 课后 小结 掌握共发射极放大电路的动态分析和交流动态参数的计算。 第 9、10 课时
课题 教学 目的 重点 难点 放大器的偏置电路 课型 了解放大器静态工作点变化对放大器性能的影响；掌握放大器偏置电路的分析计算。 放大器静态工作点变化对放大器性能的影响 放大器偏置电路的分析计算 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.
文档收集于互联网，已重新整理排版.word版本可编辑,有帮助欢迎下载支持. 教 学 过 程 一、静态工作点不稳定的原因 静态工作点不稳定的原因较多，如温度变化、电源波动、元件老化而使参数发生变化等，其中最重要的原因是温度变化的影响。 l、 温度变化时对ICEO的影响 一般情况，温度每升高 12℃ ，锗管ICEO数值增大一倍；温度每升高 8℃ 时，硅管的ICEO数值增大一倍。 2、温度变化对发射结电压uBE影响 在电源电压不变的情况下，温度升高后,使uBE减小，一般晶体管uBE的温度系数约为-2～2.5 mv/℃。uBE减小，将使iB和iC增大，工作点上移。 3、温度变化对?的影响 温度升高将使晶体管的?值增大，温度每升高 1℃ ，?值约增加0.5％～1％ ，最大可增2％。反之，温度下降时?值将减小。 二、分压式偏置电路 1、电路结构 2、动态和静态分析 课后 小结 了解温度变化对静态工作点的影响熟练对分压式偏置电路进行分析 第11、12 课时
课题 教学 目的 重点 难点 常见的放大电路 课型 了解共集电极放大电路和共基极放大电路的组成、原理及分析计算。 共集电极放大电路分析计算 共基极放大电路分析计算。 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.
中等职业学校《电子技术基础》教案
