反激电源波形详细解析
假设在一台数字示波器上只看到这一点波型，知道变压器电感量为讲解方法就行了)1)大约的交流输入电压值2)次级反到初级的电压3)占空比4)变压器漏感
5)变压器和MOS的总杂散电容6)变压器传送的能量明显反激，而且是断续模式刚开始是漏感震荡，后来是电感和前一个直流电压是后一个就是Vin
后一个震荡的周期可以算出
Cds大小
mosfet的电容震荡
二极管导通压降))
1mH，通过从示波器上测量和计算，得出下列数值(只
Vin+(Np/Ns)(Vo+VF)(
高压时MOS的Cds很小，振荡的电容主体是变压器杂散电容。
根据反射电压，反射电压持续时间，输入电压就可以计算导通时间，占空比也就出来了4/5问如我上所说，只有一个大概的估算
(伏特秒平衡)，Vref*Tvref=Vin*Ton
参考大家的理解，谈谈我的看法:
当MOS管电压上升到A点时，输出整流管导通，初级励磁电感箝位于V1。此时，漏感和杂散电容谐振，由于变压
器线圈存在直流和交流电阻，该振荡为阻尼振荡，消耗了漏感中的能量。在管自然截止，励磁电感上电压下降为零，下降，可从波形中得到验证。
计算:
励磁电感和杂散电容谐振，
B点时，励磁电感中电流下降为零，次级整流
MOS管的杂散电容Coss向励磁电感放电，Vds电压
1、2:如图所示，可以读出反射电压V1，和Vin(DC)。则，交流输入电压约为Vin(DC)/sqrt(2)，不带PFC。
3。由伏秒平衡可得，Vin(dc)*Ton=V1*T1，可求得，Ton。那么，占空比D=Ton/(Ton+T1+T2)。
4、5:近似求解，从图中分别读出漏感、励磁电感同杂散电容谐振的频率，根据为1mH，可求得杂散电容值。进一步就可求得漏感的感量。、
f=1/(2*pi*sqrt(L*c))，由励磁电感感量已知，
6。从波形中可以看出，此时该反激电路工作于断续模式，初级能量完全传送到次级。根据Vin*Ton=Lp*Ip，其中，Lp为1mH，就可求得初级峰值电流那么，该变压器在一个周期内传送的能量为
:1/2*Lp*Ip^2。
Ip，
其他波形：
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