场效应管的输出特性曲线可分为四个区域： 可变电阻区 恒流区
截止区（夹断区） 击穿区
二、绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。
绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型
补充：耗尽型：UGS=0时漏、源极之间已经存在原始导电沟道。
增强型：UGS=0时漏、源极之间才能形成导电沟道。
无论是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，都只有一种载流子导电，均为单极型电压控制器件。
MOS管的栅极电流几乎为零，输入电阻RGS很高。
1、结构与符号 以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为
MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的表面生长一层很薄的SiO2绝缘层，
绝缘层上引出一个金属电极称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电极，一般工作时衬底与源极相连。
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图1.26 N沟道增强型MOS管的结构与符号
符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。
2、N沟道增强型MOS管的工作原理 如P18图1.27所示，在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。
形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。
3、特性曲线 （1） 转移特性曲线
（2） 输出特性（漏极特性）曲线
图1.28 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线
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图1.28 N沟道增强型MOS管的输出特性曲线
三、场效应管的主要参数
① 夹断电压（UP） ② 开启电压(UT) ③ 饱和漏极电流IDSS
④ 最大漏源击穿电压（U（BR）DS） ⑤ 跨导（gm）
四、场效应管应注意的事项
（1）选用场效应管时，不能超过其极限参数。 （2）结型场效应管的源极和漏极可以互换。
（3）MOS管有3个引脚时，表明衬底已经与源极连在一起，漏极和源极不能互换；有4个引脚时，源极和漏极可以互换。
（4）MOS管的输入电阻高，容易造成因感应电荷泄放不掉而使栅极击穿永久失效。因此，在存放MOS管时，要将3个电极引线短接；焊接时，电烙铁的外壳要良好接地，并按漏极、源极、栅极的顺序进行焊接，而拆卸时则按相反顺序进行；测试时，测量仪器和电路本身都要良好接地，要先接好电路再去除电极之间的短接。测试结束后，要先短接电极再撤除仪器。
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（5）电源没有关时，绝对不能把场效应管直接插入到电路板中或从电路板中拔出来。
（6）相同沟道的结型场效应管和耗尽型MOS场效应管，在相同电路中可以通用。
第5节其他半导体器件简单介绍，了解。
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§2.1 基本共射极放大电路
目的与要求
1. 掌握共射极放大电路组成
2. 了解共射极放大电路的工作原理及性能特点 3. 知道共射极放大电路中各元件的作用 重点与难点
重点 共射极放大电路组成 难点 共射极放大电路的工作原理 教学方法
讲授法,列举法,启发法 教具
三极管，三角尺 小结
电路中各元件的作用如下。
（1）三极管 （2）隔直耦合电容C1和C2 （3）基极回路电源UBB和基极偏置电阻Rb （4）集电极电源UCC （5）集电极负载电阻Rc
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《电子技术基础》正式教案设计(1)
