区电压硅管约为0.5V，锗管约为0.2V。
图1.13 二极管的伏安特性曲线
2、反向特性
二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1.13可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流
从图1.13可见，当反向电压的值增大到UBR时，反向电压值稍有增大，反向电流会急剧增大，称此现象为反向击穿，UBR为反向击穿电压。利用二极管的反向击穿特性，可以做成稳压二极管，但一般的二极管不允许工作在反向击穿区。
补充：二极管的温度特性
二极管是对温度非常敏感的器件。实验表明，随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数（约为-2mV/℃）；温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性下移，温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍。
三、 二极管的主要参数
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（1）最大整流电流IF 最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向电流的平均值。
（2）反向击穿电压UBR 反向击穿电压是指二极管击穿时的电压值。
（3）反向饱和电流IS 它是指管子没有击穿时的反向电流值。其值愈小，说明二极管的单向导电性愈好。
另外
（4）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。
理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。
四、二极管极性的判定
将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。
五、二极管好坏的判定
（1）若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。
（2）若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。
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（3）若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。
补充：特殊二极管 1.稳压二极管 2.发光二极管LED 3.光电二极管 4.变容二极管 5.激光二极管
§1-3 三 极 管目的与要求
1. 了解三极管的结构及类型 2. 掌握半导体三极管的符号
3. 理解半导体三极管的伏安特性及电流放大作用 4. 知道三极管的主要参数和检测方法 重点与难点
重点 1. 三极管的符号
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2. 三极管的伏安特性曲线 难点 三极管的伏安特性曲线 教学方法
讲授法,列举法,启发法 教具
二极管,三极管，三角尺 小结
放大区
输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点：
（a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；
（b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=βIB；
（c）对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；
（d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。 布置作业
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§1-3 三 极 管
一、三极管的结构、符号及类型 1. 三极管的结构及符号
半导体三极管又称晶体三极管（下称三极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使三极管成为一个具有控制电流作用的半导体器件。三极管可以用来放大微弱的信号和作为无触点开关。
三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管
NPN型
三极管的文字符号为V。 三极管的结构特点：
三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。
2．三极管的类型
（1）国产三极管的型号，见P10-表1-3
PNP型
集电结 B发射结NPNEC集电区基区B发射区EC 集电结 B发射结PNPC集电区基区B发射区EEC 14
《电子技术基础》正式教案设计(1)
