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存储设备
存储器 特点 中文名称 RAM Flash Memory ROM
（Random Access Memory）的全名为随机存取器 否 FLASH存储器又称闪存 ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器 是 电源关闭 数据是否保留 是 主要分类 SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器） NOR Flash和NAND Flash型 PROM、EPROM、E2PROM 速度 较快 较慢
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ROM
不同ROM 特点 Mask ROM PROM EPROM E2PROM Flash ROM 写入次数 一次性由厂家写入数出厂并未写入数据，通过紫外光的照据，用户无法修改 由用户编程一次性写射，擦掉原先的程入数据 序。芯片可重复写入 通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢 产品实例 结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM） Intel的28系列、U盘（NAND Flash） Winbond公司的 W27-29系列及AMD公司的29系列等
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Flash ROM
存储器 特点 性能比较 NOR Flash NAND Flash 1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度； 2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多； 3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。 4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。 接口差别 1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。 2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。 1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。 2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。 寿命(耐用性) NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。 位交换 块坏处理 NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多 Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。 NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。 容量和成本 可靠性和耐用性 3
rom、ram、flashmemory的区别(表格版)
