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半导体设备保护用熔断体

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8.4.3.2 额定电流验证(见AA.3.3)

熔断体按8.3.1要求的试验条件进行试验。

熔断体需经受100个试验循环,每个循环应包括在额定电流下的0.1倍约定时间的“通电”和同样时间的“断电”。约定时间按表101规定。

试验后,熔断体不应出现性能变化(见8.3.5)。 8.4.3.3.1 时间-电流特性

时间-电流特性的验证可以通过在8.5试验过程中获得的示波图的数据来验证。 弧前时间从接通电路的瞬间至电压测量装置指示出电弧发生的瞬间来确定。

以上确定的用对应于预期电流值横坐标来表示的弧前时间应在制造厂规定的时间-电流带之内。 对于交流,导致实际弧前时间小于额定频率的10个周波的预期电流值至绝热熔化的电流值范围内,应使预期电流是对称的。

对于直流,交流电流下确定的时间-电流特性可用于时间大于15τ的相关电路。

对于同一熔断体系列(见8.1.5.2),8.5的完整试验仅需在最大额定电流的熔断体上进行。对于最小额定电流的熔断体,只需验证弧前时间。

弧前时间-电流特性可以在任何约定电压值和任何线性电路下确定。熔断时间-电流特性需要在适当的电压值和电路特性下进行测定。 8.4.3.4 过载

熔断体按8.3.1要求的试验条件进行试验。

熔断体需经受100个负载循环,每个循环的全部时间为0.2倍的约定时间,每个循环的“通电”时间和试验电流与验证过载能力的坐标点相对应;其余时间为“断电”时间。约定时间在表101中规定。

试验后,熔断体的性能不应有显著变化(见8.3.5)。

注: 对于弧前时间大于15τ的相关电路,这些试验可以用来验证直流熔断体的过载能力。

8.4.3.5 约定电缆过载保护试验(仅适用于“gR”和“gS”熔断体)

对于“gR”和“gS”熔断体,IEC 60269-1:2006适用。 8.4.3.6 指示装置和撞击器(如有)的动作

指示装置正确动作的验证与分断能力的验证(见8.5.5)结合进行。 验证撞击器(如有),应补充一个试品在如下条件下进行试验: ——I2a电流(见表104); ——20V的恢复电压。 恢复电压值可以超过10%。

所有试验过程中,撞击器应该动作。 但是,如果在这些试验的某一项试验中指示装置或撞击器失败,若制造厂能提供证据说明此失败对本型式熔断器来说并非典型,而是由于个别试品缺陷所致,试验才可不被否定。如果发生这种情况,应提供2倍数量的试品用于进行指示装置或撞击器失败的试验项的试验,试验中不应再发生失败。

指示装置或撞击器的性能和性能验证由制造厂和用户协商。 8.5 分断能力验证 8.5.1 熔断器的布置

除8.1.4和8.3.1规定外,补充如下:

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对于分断能力试验,熔断体的安装应与实际使用情况相似,特别是导线的位置。如果熔断体仅可在一端刚性固定下使用,则试验也应一端刚性固定。若熔断体使用时两端刚性固定,则试验时也应这样安装。

8.5.5 试验方法

8.5.5.1 为验证熔断体是否满足7.5的条件,对于交流,“aR”型熔断体应进行下述No.1~No.2a试验,“gR”和“gS”型应进行下述No.1、No.2和No.5试验,除非另有规定,应按表104(见8.5.5.2)规定的值进行试验。对于直流,“aR” 型熔断体应进行No.11~No.12a试验,“gR”和“gS”型熔断体应进行No.11、No.12和No.13试验,除非另有规定,应按表105规定的值进行试验。对于VSI熔断体,应根据表106规定的值进行No.21试验。

对于交流No.1和No.2试验或直流No.11和No.12试验或VSI熔断体No.21试验:对于每一项试验,应用三个熔断体相续进行试验。如果在No.1试验过程中,有些试验满足了No.2试验的要求,这些试验可以作为No.2试验的一部分,无需重复进行。这同样也适用于直流No.11和No.12试验。

对于交流No.2a和No.5试验、对于直流No.12a和No.13试验:对于交流,试验电流的值在表104中规定。对于直流,试验电流值在表105中规定。对于交流试验,可以在相对于电压过零的任一瞬间接通电路。若试验设备不允许电流在全电压下维持所要求的时间, 可以用大致等于试验电流值的电流在低电压下预热熔断器。在此情况下,应在产生电弧之前转换到8.5.2所规定的试验电路中去, 并且转换时间T1 (无电流的时间间隔)不得超过0.2s, 电流重新出现和开始燃弧之间的时间间隔不得小于3T1。

8.5.5.2 对于交流No.2中的一个试验和No.2a或No.5试验、直流No.12中的一个试验和No.12a或

No.13试验和VSI中No.21中的一个试验:

?10——对于交流,额定电压为690V的熔断体,恢复电压应保持在100 额定电压,对于其他熔断体,0%?15恢复电压保持在100 0%额定电压;

?20——对于直流,恢复电压保持在100 0%额定电压;

?15——对于VSI,恢复电压保持在100 0%额定电压。 恢复电压至少保持:

——熔管或填充料中不含有有机材料的熔断体熔断后时间为30s;

——其他情况下,熔断体熔断后时间为5min。如果转换时间(无电压的时间间隔)不超过0.1s,允

许15s后转换至另一电源。

对于所有其他试验,熔断体熔断后恢复电压应按上述规定的数值保持15s。

熔断体熔断后6min~10min,应测量熔断体触头之间的电阻(见8.5.8)并作记录。如果熔断体的熔管或填充料中不含有有机材料,在制造厂认可下,可以选用更短的时间。

表104 交流熔断器分断能力试验参数

No.1 工频恢复电压c 按8.5.5.1规定的试验 No.2 No.2a a No.5 ?5额定电压为690V,1050%?5其它额定电压,1100%a 预期试验电流 I1 I2 不适用 I2a “aR” I5=1.25 If “gR”和“gS” ?200电流允差 ?100% a % 功率因数 预期电流不超过20kA:0.2~0.3 预期电流超过20kA:0.1~0.2 不适用 65°~90° 00?20? 0.3~0.5b 电压过零后的接通角 电压过零后的电弧始燃角 不适用 不作规定 I1:表示额定分断能力的电流。 I2:试验时电弧能量接近最大时的电流。 注:如果电弧出现时的电流(瞬时值)达到0.62~0.752倍预期电流(对于交流,交流分量的有效值),可以认为电弧能量接近最大。 作为实际应用中的指南,可以认为I2是对应于额定频率下,时间-电流特性中半个周波弧前时间时电流值的3~4倍。 I2a:制造厂规定的在过电流范围内熔断体分断能力的最小值(见7.4)。 I5: 验证熔断器在小过电流范围内是否能可靠动作的试验电流。 a b 如果制造厂认可,可以超出偏差上限。 对于单相电路,实际应用中,外加电压的有效值等于工频恢复电压的有效值。 如果制造厂认可,功率因数可以小于0.3。 c 8.5.8 试验结果的判别

试验过程中,如发生以下一种或几种事故,熔断体则不符合本标准: ——熔断体引燃,除任何纸质标签或指示用的类似物外; ——约定试验装置的机械性损伤; ——熔断体的机械性损伤;

注:允许熔断体出现热开裂,但仍为一整体。

——端帽燃烧或熔化; ——端帽的明显移位。

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表105 直流熔断器分断能力试验参数

No.11 恢复电压平均值 a按8.5.5.1规定的试验 No.12 ?5No.12a bNo.13 额定电压的115?9% 预期试验电流 ?100I1 I2 I2a “aR” I5=1.25 If “gR”和“gS” ?200电流允差 % 不适用 预期试验电流超过20kA:10ms~15ms % 时间常数 c预期试验电流I不超过20kA:0.5(I)ms,允差0.3?200%b(I 以A为单位) I1: 表示额定分断能力的电流(见5.7)。 I2: 试验时电弧能量接近最大时的电流。 注:如果电弧出现时的电流达到0.5~0.8倍预期电流,可以认为电弧能量接近最大。 I2a:制造厂规定的在过电流范围内熔断体分断能力的最小值(见7.4)。 I5: 验证熔断器在小过电流范围内是否能可靠动作的试验电流。 a b 允差包括脉动。 在某些实际应用中,可能出现时间常数比试验中规定值小,这更有利于熔断器的运行。比规定值大的多的时间常数在大多数情况下会严重影响熔断器的性能,特别是对额定电压的影响。对此类应用情况,制造厂应提供更多资料。 如果制造厂认可,可超出上限值。 c 8.6 截断电流特性验证 8.6.1 试验方法

对于交流,试验应按表104规定进行。 对于直流,试验应按表105规定进行。

对于VSI熔断体,试验应按表106规定进行。

按8.5进行的试验应按8.6.2进行评估。试验可用于证明同一系列全部熔断体的特性。

表106 VSI熔断体分断能力试验参数

按8.5.5.1规定的试验 No.21 恢复电压平均值 预期试验电流 a额定电压的110?0% b?5I1 电流允差 ?10?0% 时间常数 1ms和3ms之间c I1: 表示额定分断能力的电流(见5.7.2)。 a 允差包括脉动。 b 如果制造厂认可,可超出上限值。 c 如果制造厂认可,可超出上限值。 8.6.2 试验结果的判别

对于交流,截断电流特性应由表104规定的No.1和No.2试验进行验证。 对于直流,截断电流特性应由表105规定的No.11和No.12试验进行验证。 对于VSI熔断体,截断电流特性应由表106规定的No.21试验进行验证。 8.7 I2t特性和过电流选择性验证 8.7.1 试验方法

试验方法按8.6.1规定。 8.7.2 试验结果的判别

对于交流,I2t特性应由表104规定的No.1和No.2试验进行验证。

对于直流,I2t特性应由表105规定的No.11和No.12试验进行验证。

对于VSI熔断体,I2t特性应由表106规定的No.21试验进行验证。

每个预期电流对应的弧前I2t值不应小于制造厂的规定值。

每个预期电流对应的熔断I2t值不应大于给定外加电压时的制造厂规定值。8.7.3 熔断体在0.01s时一致性验证

不适用。

8.7.4 过电流选择性验证

不适用。

8.7.5 电弧电压特性的验证和试验结果的判别

从以下每个试验中得出的最大电弧电压值不应大于制造厂的规定值。 对于交流,电弧电压特性应由表104规定的No.1和No.2试验进行验证。 对于直流,电弧电压特性应由表105规定的No.11和No.12试验进行验证。 对于VSI熔断体,电弧电压特性应由表106规定的No.21试验进行验证。

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半导体设备保护用熔断体

8.4.3.2额定电流验证(见AA.3.3)熔断体按8.3.1要求的试验条件进行试验。熔断体需经受100个试验循环,每个循环应包括在额定电流下的0.1倍约定时间的“通电”和同样时间的“断电”。约定时间按表101规定。试验后,熔断体不应出现性能变化(见8.3.5)。8.4.3.3.1时间-电流特性时间-电流特性的验证可以
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