全SiC三相逆变器传导电磁干扰建模与预测

全SiC三相逆变器传导电磁干扰建模与预测

段卓琳1, 2, 3, 4， 范 涛1， 3, 4， 张 栋1, 3， 4， 温旭辉1, 3, 4

【摘 要】摘要： 三相逆变器中的开关器件快速开关动作产生高的du/dt、di/dt，在系统寄生参数的作用下产生了电磁干扰(EMI)，影响系统的可靠运行。相比较Si器件，SiC器件具有很多优势，在三相逆变器系统中得到了越来越多的应用。但是，SiC器件的开关频率更高，开关速度更快，使得其电磁干扰问题也更严重。本文通过对全SiC三相逆变器传导电磁干扰的干扰源及传播路径进行建模，采用时域仿真加快速傅里叶变换(FFT)的方法预测了电源端口处的传导干扰，在10kHz～30MHz的频段范围内，仿真结果与实测结果基本吻合，验证了所建模型的正确性。 【期刊名称】电工电能新技术 【年(卷),期】2018(037)001 【总页数】7

【关键词】 SiC； 三相逆变器； EMI

1 引言

电力电子器件是电力电子装置的重要基础。Si 功率器件经过五十多年的长足发展，其性能已趋近理论极限，难以再大幅度提升[1]。近年来，以SiC 为代表的宽禁带半导体技术发展迅速。与 Si 器件相比，SiC器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小且能耐高温工作的特点，能够大幅降低装置的功耗、缩小装置的体积，特别在高温、高频和大功率的应用领域，显示出 Si器件难以比拟的巨大应用优势和潜力，因此在三相逆变器系统中具有良好的应用前景[2]。 在三相逆变器系统中，功率开关器件的快速开通、关断使得电压和电流在短时