模拟电子技术基础第四版课后答案
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价
(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大； B.不变； C.减小
1.2电路如图P1.2 所示，已知ui?10sin?t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2
解：ui与uo的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知ui
?5sin?t(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出ui与uo的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3
1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下UT?26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，
有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？
解：二极管的直流电流 ID?(V?UD)/R?2.6mA
其动态电阻:
rD?UT/ID?10? 图P1.4
故动态电流的有效值：Id?Ui/rD?1mA
1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：(1)串联相接可得4种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得2种：0.7V；6V。
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压UZ?6V，最小稳定电流
IZmin?5mA，最大稳定电流IZmax?25mA。
(1)分别计算UI为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI?35V时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。
∴UI?10V时，UO?RLUI?3.3V；
R?RLUI?15V时，UO?RLUI?5V；
R?RLRLUI?11.7V?UZ，∴UO?UZ?6VUI?35V时，UO?R?RL。
(2)当负载开路时，IZ?UI?UZ?29mA?IZmax?25mA，故稳压管将被烧毁。 R
1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 UD =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。 试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？
(2)R的取值范围是多少？
解：(1)S闭合。 (2) R的范围为:
Rmin?(V?UD)/IDmax?233?
?700?DDmin max 图P1.7
1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
R?(V?U)/I
(a) (b) (a) (b) 图Pl.8 解图Pl.8
解：答案如解图Pl.8所示。 放大倍数分别为?a
?1mA/10?A?100和?b?5mA/100?A?50
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解:如解图1.9。
解图1.9
1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时UBE输出电压uO的值。
解： (1)当VBB(2)当VBB
?0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及
。
?0时，T 截止，uO?12V?1V时，因为
IBQ ICQ uO?VBB?UBEQRb??IBQ?3mA
?60?A
?VCC?ICQRc?9V 图P1.10
所以T处于放大状态。
(3)当VBB?3V时，因为IBQ?VBB?UBEQRb?460?A，
ICQ??IBQ?23mAICS?VCC?UCES?11.3mA， 所以T处于饱和状态。
Rc1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50 ,UBE正向导通电压UD解：当uI当uI?0.2V，饱和管压降UCES时uO?0.1V；稳压管的稳定电压UZ?5V,
?0.5V。试问：当uI?0V时uO?？；当uI??5V?？
?0V时，晶体管截止，稳压管击穿，
uO??UZ??5V。 ??5V时，晶体管饱和，
。
uO??0.1VIB?
因为： 图P1.11
uI?UBE?480?A，IC??IB?24mA，UEC?VCC?ICRc?0 Rb1.12分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
(a) (b) (c)
(d) (e)
图P1.12
解：(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。
1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS 管、增强型、耗尽型），并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。
解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图Pl.13 所示。
解图Pl.13
1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。
图Pl.14 (a) (b)
解图Pl.14
解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及uGS值，建立
iD?f(uGS)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14 (b)所示。
1.15电路如图P1.15所示，T的输出特性如图Pl.14所示,分析当uI=4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.14 所示T的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图Pl.15所示电路可知uGS当uI=4V时，uGS小于开启电压，故T 截止。 当uI=8V时，设T 工作在恒流区，根据输出 特性可知iD 因此，uGD?uI。
?0.6mA，管压降uDS?VDD?iDRd?10V，
?uGS?uDS??2V，小于开启电压，
说明假设成立，即T工作在恒流区。 图Pl.15
当uI=12V时，由于VDD?12V，必然使T工作在可变电阻区。
l.16分别判断图Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a) (b) (c) (d)
图P1.16
解：(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。
补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压UZ
?3V, R 的取值合适，uI的波形如图(c)所示。试分别画出
uO1和uO2的波形。
(a) (b) (c)
补图P1 解：波形如下图所示
补充2.在温度20oC时某晶体管的ICBO解:ICBO60
?2?A,试问温度是60oC时的ICBO?？
?200?A；另一只的β=100 , ICEO?10?A，其它参数大致相同。你认为
?ICBO20?24?2?24?32?A。
补充3.有两只晶体管，一只的β=200 , ICEO应选用哪只管子？为什么？
解：选用β=100 , ICEO
?10?A的管子，因其β适中,ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
?UBE，若管子饱和，
VCC?UBEVCC?UBE?则??, 即Rb??Rc
RbRcRb?100时,管子饱和。 所以,??Rc
补图P4
解：取UCES
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案
