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计算机组成原理实验报告完整版

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计算机组成原理实验报

HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

南通大学计算机科学与技术学院上机实验报告

姓名:邓 晗

班级:软件工程142

一、目的及要求

1.熟悉静态随机存储器RAM和只读存储器ROM的工作特性和使用方法; 2.熟悉半导体存储器存储和读出数据的过程; 3.了解使用半导体存储器电路时的定时要求。 二、环境(软、硬件平台) 硬件: 计算机一台 软件:

Quartus Ⅱ 及以上版本

三、内容及步骤(包括程序流程及说明)

1.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_rom设计一个由128╳8位的ROM(地址空间:00H~7FH)构成的只读存储器系统。

(1)设计实验电路图,在QuartusⅡ的编辑环境下,进行原理图的输入和编辑工作,要求编译通过,无错误。

(2)利用.mif文件,对ROM的存储单元00H~05H进行初始化。

(3)给定ROM存储区的地址:00H~05H,读ROM存储单元。要求通过分析仿真波形,检查数据的正确性。记录仿真波形、分析方法、分析过程和分析结果。

.首先利用器件库提供的存储单元lpm_rom器件设计一个128╳8位的ROM只读存储器,

注意这里要关联mif文件; .设计的电路图如下:

给入的八位地址的最高位作为器件脉冲端的控制信号,其余七位作为ROM的地址输入。

利用.mif文件,对ROM的存储单元00H~05H进行初始化如上面的截图所示,每次在重新写入数据时都要更新重新关联文件;然后设计出仿真波形:

2.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_ram_dq,设计一个由128╳8位的RAM(地址空间:80H~FFH)构成的随机存储器系统。

(1)设计实验电路图,在QuartusⅡ的编辑环境下,进行原理图的输入和编辑工作,要求编译通过,无错误。

(2)给RAM的存储单元80H~85H写入数据。要求通过分析仿真波形,检查数据的正确性。记录仿真波形、分析方法、分析过程和分析结果。

(3)给定RAM存储区的地址:80H~85H,读RAM存储单元。要求通过分析仿真波形,检查数据的正确性。记录仿真波形、分析方法、分析过程和分析结果。

.首先利用器件库提供的存储单元lpm_ram_dq器件设计一个128╳8位的RAM构成的随机存储器,

这里也可以设计mif文件进行关联; ,设计的电路图如下所示:

给入的八位地址的最高位作为器件脉冲端的控制信号,其余七位作为RAM的地址输入。we是控制数据的写入和读出控制端。data[7..0]则是数据的输入端。

设计仿真波形,给RAM的存储单元80H~85H写入数据,给定RAM存储区的地址:80H~85H,读RAM存储单元。如下所示:

3.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_ram_io,设计一个由128╳8位的RAM(地址空间:80H~FFH)构成的随机存储器系统。

(1)设计实验电路图,在QuartusⅡ的编辑环境下,进行原理图的输入和编辑工作,要求编译通过,无错误。

(2)给RAM的存储单元80H~85H写入数据。要求通过分析仿真波形,检查数据的正确性。记录仿真波形、分析方法、分析过程和分析结果。

(3)给定RAM存储区的地址:80H~85H,读RAM存储单元。要求通过分析仿真波形,检查数据的正确性。记录仿真波形,仿真结果的分析方法、分析过程和分析结果。 .首先利用器件库提供的存储单元lpm_ram_io器件设计一个128╳8位的RAM构成的随机存储器:

给入的八位地址的最高位作为器件脉冲端的控制信号,其余七位作为RAM的地址输入。在这里这个器件的dio[7..0]是一个双向端口,即使输入也是输出。既是作为数据的输入和输出的,cs则是控制数据的输入和输出的控制端,we是控制数据的写入和读出控制端。

设计仿真波形,给RAM的存储单元80H~85H写入数据,给定RAM存储区的地址:80H~85H,读RAM存储单元。如下所示:

4.利用Quartus Ⅱ器件库提供的参数化存储单元lpm_rom、lpm_ram_dq或

lpm_ram_io设计一个由128╳8位的ROM(地址空间:00H~7FH)和一个由128╳8位的RAM(地址空间:80H~FFH)构成的存储器系统。

(1)设计实验电路图,在QuartusⅡ的编辑环境下,进行原理图的输入和编辑工作,要求编译通过,无错误。

(2)利用.mif文件,对ROM的存储单元00H~05H进行初始化。 (3)从05H单元读出一个8位数据存入88H单元。

(4)将90H存入06H单元,将11H存入90H单元,请置相关控制信号(注意时序关系)实现下列功能:

给定06H,读出数据11H(即,实现间接寻址功能)。 综合以上三步的实验就可以设计出电路图如下:

第一个74244b作为输入数据缓冲器,其余两个74244b器件作为ROM和RAM的输出结果的缓冲器,对输出结果加以控制,就会避免输出总线上的数据不会因为相互干扰产生紊乱,这样的话两个存储器的控制数据的输出脉冲端就可以不用了(我的电路图中没有用)。74374b器件作为寄存器暂时存储总线输出的数据。

特别注意:不同的总线的命名不能一样。否则会造成数据的紊乱错误。 对ROM的存储单元00H~05H进行初始化。

初始化和上面的是一样的,同样要进行更新和关联。

从05H单元读出一个8位数据存入88H单元,设计的波形图如下:

将90H存入06H单元,将11H存入90H单元,请置相关控制信号(注意时序关系)实现下列功能:给定06H,读出数据11H,设计的波形如下所示:

解析:本题的意思是先将RAM的90H地址单元写入数据11H,然后利用ROM对06H地址单元读出已经存好的数据90H,将ROM读出的数据90H作为RAM的地址单元读出数据11H. 四、运行结果

结果见上面的步骤中的波形显示;

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