Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析
王泽温;介万奇;李宇杰;谷智
【期刊名称】《功能材料》 【年(卷),期】2006(037)008
【摘要】采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n型.通过理论分析对此现象进行了解释.分析表明:Hg1-xMnxTe晶片中电子迁移率与空穴迁移率的比值较大和Hg1-xMnxTe的禁带较窄是造成晶片导电类型转变的主要原因.对所测其它电学参数的理论分析表明范德堡法不适合用于Hg1-xMnxTe晶片室温时的载流子浓度和迁移率的测量,但仍可用其对晶片室温时的电阻率和霍尔系数进行测量. 【总页数】4页(1232-1234,1238)
【关键词】Hg1-xMnxTe;范德堡法;导电类型;霍尔系数 【作者】王泽温;介万奇;李宇杰;谷智
【作者单位】西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072 【正文语种】中文
【中图分类】TN304.7;TN206 【相关文献】
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Hg1-xMnxTe晶片电学参数的测量及分析
