实现二维离散余弦变换的CMOS图像传感器

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201210109884.5 （22）申请日 2012.04.16 （71）申请人 天津大学

地址 300072 天津市南开区卫津路92号

（10）申请公布号 CN102710906B

（43）申请公布日 2014.07.16

（72）发明人 姚素英;王龙菲;徐江涛;高静;史再峰;李渊清;李毅强 （74）专利代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人 刘国威

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

实现二维离散余弦变换的CMOS图像传感器

（57）摘要

本发明涉及微电子学的集成电路设计

领域和数字图像编码压缩领域。为提供一种新型的可实现2D-DCT的CMOS图像传感器结构，使2D-DCT在获取图像的同时完成，与传统处理流程相比，在不降低图像传感质量的基础上，减少由于额外使用的2D-DCT模块引入的面积和功耗，本发明采取的技术方案是，一种实现二维离散余弦变换的CMOS图像传感器，由像素阵列、读出电路、开关电容阵列、多路选择器MUX、可编程增益放大器DPGA、模数转换器ADC以及控制时序电路组

成，还包括：开关电容阵列，模拟累加器；模数转换器ADC内增设有开关控制模块2、寄存器2、电容通路、数字加法器。本发明主要应用于图像传感器编码压缩。 法律状态

法律状态公告日

2012-10-03 2012-11-28 2014-07-16

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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