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受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
RF(r)---正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻
R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻
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R(th)jc---结到壳的热阻 rδ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
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VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降
VFM---最大正向压降(正向峰值电压) VF---正向压降(正向直流电压) △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF(AV)---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压
VR---反向工作电压(反向直流电压) VRM---反向峰值电压(最高测试电压) V(BR)---击穿电压
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Vth---阀电压(门限电压)
VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) VRWM---反向工作峰值电压 Vv---谷点电压 Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压(稳流二极管) VL---极限电压CT---势垒电容
Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容
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IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反
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