2项 丁 戊 三级 一、二级 三级 一、二级 三级 四级 一、二级 三级 四级 不限 3 不限 3 1 不限 3 1 6000 1500 4800 1200 4000 1000 2100 700 1200 400 - - 不限 3000 不限 1500 4800 1200 3000 1000 1500 500 - - 2100 700 - - - - 不限 不限 不限 2000 6000 1500 3000 1000 2100 700 - - 2100 700 - - - - 300 - 500 - - 1000 - - 2.0.9 厂房内设置自动灭火系统时，每个防火分区的最大允许建筑面积按本规范2.0.7规定增加1.0倍。当丁、戊类的地上厂房内设置自动灭火系统时，每个防火分区的最大允许建筑面积不限。厂房内局部设置自动灭火系统时，其防火分区的增加面积按局部面积的1.0倍计算。
仓库内设置自动灭火系统时，每座仓库的最大允许占地面积和每个防火分区的最大允许建筑面积按本规范2.0.8规定增加1.0倍。
2.0.10 厂房内任一点至最近安全出口的直线距离不应大于表2.0.10的规定。
表2.0.10 厂房内任一点至最近安全出口的直线距离（m）
生产的火灾危险性类别 甲 乙 丙 丁 戊 耐火等级 一、二级 一、二级 一、二级 三级 一、二级 三级 四级 一、二级 单层厂房 30 75 80 60 不限 60 50 不限 4
多层厂房 25 50 60 40 不限 50 - 不限 高层厂房 - 30 40 - 50 - - 75 地下或半地下厂房（包括地下或半地下室） - - 30 - 45 - - 60 三级 四级 100 60 75 - - - - - 2.0.11 生产厂房内洁净生产区人员密度大于0.02人/m2，洁净生产区与技术支持区位于不同的防火分区时，不应共用安全出口。 2.0.12 避难走道的设置应符合下列规定：
1 避难走道楼板的耐火极限不应低于1.50h；两侧防火墙的耐火极限不应低于3.0h。
2 避难走道直通地面的出口不应小于2个，并应设置在不同方向；当避难走道仅与一个防火分区相通且该防火分区至少有1个直通室外的安全出口时，可设置1个直通地面的出口。
3 任一防火分区通向避难走道的门至该避难走道最近安全出口距离不应大于60m；
4 避难走道的净宽度不应小于任一防火分区通向该避难走道的设计疏散总净宽度；
5 避难走道内部的装修材料的燃烧性能为A级；
6 防火分区至避难走道入口应设置防烟前室，前室的使用面积不应小于6.0m2，开向前室的门应采用甲级防火门，前室开向避难走道的门应采用乙级防火门；
7 避难走道内应设置消火栓、消防应急照明、应急广播和消防专线电话。
2.0.13 使用和储存有毒有害气体的作业场所，必须设置泄漏自动报警装置和与其联锁的事故通风装置及应急处理装置。
2.0.14 符合下列条件之一时，应设置气体处理设施和排气筒：
1 含有有毒有害物质污染源的局部排风系统；
5
2 含有剧毒物质污染源的事故排风系统。
2.0.15 含有易燃易爆气体或粉尘、酸性、碱性、剧毒的工艺排风管道不应安装防火阀。工艺排风管道穿越有耐火时限要求的建筑构件处，紧邻建筑防火构件的风管管道应采用与建筑构件耐火时限相同的防火构造进行封闭或保护，每侧保护长度应为风管直径的两倍且不小于2m。
2.0.16 生产废水分类应根据废水性质、污染物浓度和水量，结合废水排放要求和废水处理工艺综合确定。
2.0.17 对连续生产且停产会造成较大损失的工厂，其废水处理系统应设置事故水池，事故水池的容积应按照不小于最大单个废水系统处理量的6h的排放量确定。
2.0.18 酸、碱、有机溶剂化学品的储存罐区以及使用点附近应设置冲身洗眼器。
2.0.19 事故排风及有毒有害排风系统的风机必须设置应急电源。 2.0.20 腐蚀性介质、有毒介质管道架空敷设时，应避免法兰、螺纹等易泄漏部位置于人行通道或设备上方，管道严禁敷设在配电盘、控制盘等电气设备上方。
2.0.21 电子材料厂应根据原辅材料、半成品、成品及废弃物的物理、化学性质和存储环境的要求分类设置存储空间。
2.0.22 危险废物应设置专用区域贮存，并应符合下列规定：
1 危险废液贮存区域应设置于相对独立的场所；
2 危险废液应采用罐体收集，贮存区域应设有防渗漏设施； 3 危险废液贮存区域应设有漏液收集和其他应急处置设施； 4 危险固体废物的贮存区应采取防止扬尘、雨水淋溶物料而造成污染物流失污染的措施。
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2.0.23 应对生产过程中产生的振动、高温、高压、深冷、腐蚀、油浸等因素造成的不利影响采取相应的防范、防治措施。
2.0.24 对可能产生职业病危害的工作场所、设备、产品、物料堆场（或堆放地），应设置警示标识。
2.0.25 生产中使用危险物品的电子材料厂，应当制定相应的安全管理制度和应急措施。
2.0.26 当生产和生产设备的安装同时进行时，二次配管配线应符合下列规定：
1 安装施工中进行焊接等产烟明火作业时不应对生产造成影响。 2 生产区与安装区之间应采取临时隔离措施。
3 垂直作业时，应采取安全隔离措施，并应设置危险警示标志。 2.0.27 生产设备调试与试运行应符合下列要求：
1 工艺设备安装合格；
2 与工艺设备接通的各种动力配管配线完成，各种连接应完成安全性检查；
3 各种动力参数应与工艺设备使用要求一致。
2.0.28 工厂在运行维护中建立的管理体系应包含安全、环保、职业健康。 2.0.29 工厂运营维护的措施应要求明确完整并定期检查执行结果。 2.0.30 生产过程中使用有毒有害气体和化学品的系统在拆除和废弃时应对容器、阀门以及管道中残留的气体和化学品进行无害化处理。
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3. 半导体材料厂 3.1 一般规定
3.1.1 半导体材料厂建设应符合经济规模要求。8英寸硅单晶抛光片的产能年产能应不低于120万片，12英寸硅单晶抛光片的产能年产能应不低于80万片；6英寸碳化硅抛光片的产能年产能应不低于10万片，6英寸砷化镓抛光片的产能年产能应不低于50万片。 3.1.2 半导体材料厂的外延间其火灾危险性类别应为丙类，拉单晶间的火灾危险性类别应为丁类，切片间、磨片间、抛光间的火灾危险性类别应为戊类。
3.1.3 化合物半导体材料生产厂房的火灾危险性类别应为丙类。
3.2 生产设施
3.2.1 单晶设备和抛光设备应采取防微振措施。
3.2.2 化合物半导体生产厂房核心生产区应按照生产工艺划分为源料制备区、单晶生长区、晶片加工清洗区、质量检测区。
3.2.3 化合物半导体晶片加工清洗区包括滚圆、定向、切割、退火、研磨、倒角、机械抛光、化学机械抛光、清洗等工序。晶片加工清洗各工序应按照最大限度地减少晶片传送距离的要求进行布局。
3.3 生产辅助设施
3.3.1 单晶炉冷却水系统必须连续稳定运行。
3.3.2 储存和使用剧毒物品的库房、工作间，维护结构应采用不吸附毒物的材料，并应便于清洗和收集。分发有毒物质处应设置洗涤池和通风柜。
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电子材料厂 - 图文
