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(完整版)第五章存储器习题

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第五章 存储器及其接口

1.单项选择题

(1)DRAM2164(64K╳1)外部引脚有() A.16条地址线、2条数据线 B.8条地址线、1条数据线 C.16条地址线、1条数据线 D.8条地址线、2条数据线 (2)8086能寻址内存贮器的最大地址范围为() A.64KB B.512KB C.1MB D.16KB

(3)若用1K╳4b的组成2K╳8b的RAM,需要()。 A.2片 B.16片 C.4片 D.8片

(4)某计算机的字长是否2位,它的存储容量是64K字节编址,它的寻址范围是()。

A.16K B.16KB C.32K D.64K (5)采用虚拟存储器的目的是() A.提高主存的速度 B.扩大外存的存储空间 C.扩大存储器的寻址空间 D.提高外存的速度 (6)RAM存储器器中的信息是()

A.可以读/写的 B.不会变动的 C.可永久保留的 D.便于携带的

(7)用2164DRAM芯片构成8086的存储系统至少要()片 A.16 B.32 C.64 D.8

(8)8086在进行存储器写操作时,引脚信号M/IO和DT/R应该是() A.00 B。01 C。10 D。11

(9)某SRAM芯片上,有地址引脚线12根,它内部的编址单元数量为() A.1024 B。4096 C。1200 D。2K (11)Intel2167(16K╳1B)需要()条地址线寻址。 A.10 B.12 C.14 D.16

(12)6116(2K╳8B)片子组成一个64KB的存贮器,可用来产生片选信号的地址线是()。

A.A0~A10 B。A0~A15 C。A11~A15 D。A4~A19 (13)计算一个存储器芯片容量的公式为()

A.编址单元数╳数据线位数 B。编址单元数╳字节 C.编址单元数╳字长 D。数据线位数╳字长 (14)与SRAM相比,DRAM()

A.存取速度快、容量大 B。存取速度慢、容量小 C.存取速度快,容量小 D。存取速度慢,容量大

(15)半导动态随机存储器大约需要每隔()对其刷新一次。 A.1ms B.1.5ms C.1s D.100μs

(16)对EPROM进行读操作,仅当()信号同时有效才行,。 A.OE、RD B。OE、CE C。CE、WE D。OE、WE

2.填空题

(1)只读存储器ROM有如下几种类型:_________. (2)半导体存储器的主要技术指标是_________。

(3)在16位微机系统中,一个存储字占用两个8位字节单元,字的低8位存放在_________、高8位存放在_________。

(4)SRAM芯片6116(2K╳8B)有_________位地址引脚线、_________位数据引脚线。

(5)在存储器系统中,实现片选控制有三种方法,它们是_________。 (6)74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端y0~y7,当输入地址码为101时,输出端_________有效。

(7)半导体表态存储器是靠_________存储信息,半导体动态存储器是靠-_________存储信息。

(8)对存储器进行读/写时,地址线被分为_________和_________两部分,它们分别用以产生_________和_________信号。

3.多项选题

(1)DRAM的特点是()

A.可读 B.可写 C.信息永久保存 D.需要刷新 E.一旦关机,其信息丢失 (2)一般所说存贮器的性能指标是指() A.价格 B.容量 C.速度 D.功耗 E.可靠性

(3)8086对存储器进行访问所涉及到的信号有() A.M/IO B.INTA C.DT/R D.DEN E.RD/WR (4)哪些地址译码方式会产生地址重叠区?() A.与非门B.或非门C.线译码D.部分译码E.全译码 (5)8086访问内存可能执行()总线周期。 A.一个 B.二个 C.三个 D.四个 E.五个

(6)HM6116芯片上哪些引脚信号控制其工作方式?() A.CE B.OE C.RD D.WE E.M/IO

(7)8086/8088不论是访问内存还是访问外设,在所发出的控制信号中相同的部分是() A.M/IO B.RD/WR C.DEN D.DT/R E.ALE

4.判断说明题

(1)PROM是可以多次改写的ROM。()

(2)E2PROM、PROM、ROM关机后,所存住处均不会丢失。() (4)存储器芯片的片选信号采用部分译码方式不一定会产生地址重叠区。() (5)RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次。()

5.简答题

(1)存储器与CPU连接时,应考虑哪些问题?

(2)什么叫“地址重叠区”?什么情况下会产生重叠区?为什么?

(3)下列容量的存贮器,各需要多少条地址线寻址?若要组成32K╳8位的内存,各需要几片这样的芯片?

a.Intel 1024(1K╳1B) b.Intel 2114(1K╳4B) c.Intel 2167(16K╳1B)

d.Zilog 6132(4K╳8B)

(4)什么叫“对准字”和“未对准字”,CPU对二者的访问有何不同?

6.应用题

(1)为某8位微机(地址总线为16位)设计一个12KB容量的存储器要求EPROM区为8KB,从0000H开始,彩2716芯片;RAM区为4KB,从2000H开始,采用6116芯片。试求:

①对各芯片地址分配。

②指出各芯片的片内选择地址线和芯片选择地址线。 ③采用74LS138,画出片选地址译码电路。

(2)已知高位地址译码如图3.7所示,译码器为3:8译码器74LS138,试判断译码器输出端分别对应的地址。 A13 A A14 B Y1 。A15 C Y3。 RD G2A 74LS138 Y5 。WR

A19 G2B

A16 G1 A17

图3.7 译码器连接图

(3)用4K╳4B的EPROM存储器芯片组成一个16K╳8B的只读存储器。试问: ①该 只讯存储芯片的数据线和地址线的位数? ②根据题意需要多少个4K╳4的EPROM芯片? ③各个芯片的片选信号表达式CE? ④画出此存储器的结构图。

。 。

(完整版)第五章存储器习题

第五章存储器及其接口1.单项选择题(1)DRAM2164(64K╳1)外部引脚有()A.16条地址线、2条数据线B.8条地址线、1条数据线C.16条地址线、1条数据线D.8条地址线、2条数据线(2)8086能寻址内存贮器的最大地址范围为()A.64KBB.512KBC.1MBD.16KB(3)若用1K╳4b的组
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