附录：
SHU267B SE整体形貌分析报告
作者：周兰珠
摘要
本文介绍了我公司生产的 SHU267B电路SEM结构解剖情况，并对电路的特殊部位一高压
NMO管的物理结构做了重点分析，提供了芯片各关键层次的 SEM^析图片及测量数据。
正文
一、
产品信息：
SHU267是用于热敏打印机上的驱动电路，电路采用了工作电压大于34V高压输出管阵列， 其工艺采用6寸1.5um SPSM CMOS阱工艺。 二、 样品信息：
1. 圆片批号及片号：SHU267B 616OGG7P 8#
2. 在线异常记录：PAD专检时，圆片因平边对面局部区域有残胶及严重的钝化层沾污被剔片。 3. 样品制备：裂片后，分别取圆片中心高压及普通 MOS管所在位臵做样品，经 BHF漂洗、
蒸金后进行SEM分析。
SEM图片及分析 I、常规物理结构 1. 场氧、多晶及鸟嘴
Poly-gate width : 2.18um
图1.
图2.
Poly connect: 2.678um 2\有源区及Poly上接触孔
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12FMA实验室分析技术 - 图文
