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SM7035P-0.2A

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SM7035P小功率恒压控制芯片QOQIISV1.2

SM7035P

特点 ? 宽电压85Vac~265Vac输入 ? 恒压精度±5% ? 拓扑结构支持:BUCK/FLYBACK/BUCK-BOOST ? 可使用贴片电感或棒形电感 ? 内置自恢复输出开短路保护功能 ? 外围元件少 ? 成本低 ? 封装形式:SOP8 概述 SM7035P是一款恒压控制芯片,芯片工作在固定频率模式,内置CS电阻。恒压精度可以达到全电压范围±5%,外围元件少,方案成本低。 SM7035P具有自恢复的输出开短路等多重保护功能, 以提高系统可靠性。 管脚图 1234DRAINGND8765 SM7035PSOP8NCFBVDDGNDNCNC 应用领域 ? 小家电应用 ? 待机电源 ? MCU或功能模组供电电源 输出功率表 输入电压 最大电流 3.3V-18V 85Vac~265Vac 200mA 典型示意电路图 1DRAIN2NCSM7035PGNDGNDNC876LED+ DB13FB4VDDNC5LED- 业务电话:400-033-6518

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内部功能框图

VDDDRAIN稳压器启动电路FB恒压控制振荡器逻辑控制驱动GND

管脚说明

名称 DRAIN NC FB VDD GND 管脚序号 1 2,5,6 3 4 7,8 管脚说明 内置高压MOS管漏极 悬空脚 芯片反馈引脚 芯片电源 芯片地 定购信息

定购型号 封装 包装形式 编带 SM7035P SOP8 2500颗/盘 13寸 卷盘尺寸 业务电话:400-033-6518

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极限参数

极限参数(TA= 25℃)

符号 VDD VFB DRAIN TOPT TSTG VESD 说明 芯片电源 FB端口输入电压 内置高压MOS管漏极电压 工作温度 存储温度 人体放电模式 范围 -0.3~7 -0.3~7 -0.3~650 -40~125 -50~150 >2 单位 V V V ℃ ℃ KV 电气工作参数

(除非特殊说明,下列条件均为TA=25℃,VDD=6V)

符号 VDD IDD VFB_CV FOSC TLEB BV_DRAIN Rdson 说明 VDD工作电压 芯片静态工作电流 FB端口恒压阈值 芯片工作频率 消隐时间 DRAIN端耐压 内部集成MOS管导通电阻 条件 DRAIN=20V VDD=6V FB=5V 范围 最小 典型 6.0 450 2 60 300 650 20 最大 单位 V uA V kHz nS V Ohms 业务电话:400-033-6518

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功能表述

SM7035P是一款恒压控制芯片,芯片工作在固定频率模式,内置CS电阻。恒压精度可以达到全电压范围±5%,外围元件少,方案成本低。

SM7035P具有自恢复的输出开短路等多重保护功能, 以提高系统可靠性。 ? 内部稳压器

DRAIN端口通过JFET对VDD电容充电,利用稳压器的稳压特性,从而稳定VDD的电压。

? 恒压控制

芯片通过FB端口电压进行跳频控制,从而稳定输出电压,得到高恒压精度。

VRFBL?FB_CV

RFBL?RFBHVOUT其中, RFBL是反馈网络的下分压电阻 RFBH是反馈网络的上分压电阻 VOUT是输出稳压点 VFB_CV是恒压阈值

? 前沿消隐电路

为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰,内置前沿消隐电路,避免芯片在功率管开启瞬间产生误动作。 ? 保护控制

SM7035P芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性,包括:逐周期峰值电流限制,输出短路保护,输出开路保护等。

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PCB layout注意事项

阻焊层 网状铺铜

SOP8封装芯片

简要说明:

? SOP8 ? ? ? 初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过EMC测试。 高压信号与低压信号分开走线,避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。 芯片VDD及FB的地尽量靠近芯片的GND。 IC的7、8脚GND需要铺铜处理,铺铜面积建议大于8*8mm,以降低芯片的温度。

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SM7035P-0.2A

SM7035P小功率恒压控制芯片QOQIISV1.2SM7035P特点?宽电压85Vac~265Vac输入?恒压精度±5%?拓扑结构支持:BUCK/FLYBACK/BUCK-BOOST?可使用贴片电感或棒形电感?内置自恢复输出开短路保护功能?外围元件少?成本低?封装形式:SOP8概述SM7035P是
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