一种多晶硅上小尺寸图形结构的制备方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410161318.8 （22）申请日 2014.04.22

（71）申请人 上海华力微电子有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN103928304A

（43）申请公布日 2014.07.16

（72）发明人 崇二敏;朱轶铮

（74）专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 吴世华

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种多晶硅上小尺寸图形结构的制备方法

（57）摘要

一种多晶硅上小尺寸图形结构的制备方

法，包括多晶硅、APF层图形结构、氮化硅和氧化硅层图形结构等，在多晶硅和初始氮化硅图形结构的表面采取原子层沉积技术沉积一层8～12纳米厚的氧化硅，利用气体干法刻蚀和湿法刻蚀，实现多晶硅上节距23～28纳米内的8～12纳米线宽的小尺寸氧化硅图形结构；该制备方法能保证氧化硅图形结构的平整度，并能保证小尺寸深槽内的介质材料被完全祛除干净，同时保护沟

槽底部及周围图形不受损伤，以提高沟槽深度的均匀性，减少了图形结构中存在栅栏、皱纹或者琢面的缺陷，提高了半导体器件的集成度和使用性能。

法律状态

法律状态公告日

2014-07-16 2014-08-13 2016-08-17

法律状态信息

公开

实质审查的生效 授权

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公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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