掺Ag浓度对ZnO(100)面吸附S的电学特性影响

掺Ag浓度对ZnO（100）面吸附S的电学特性影响

朱婷

【摘 要】【摘 要】论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，计算分析了掺Ag 浓度对ZnO（100）面吸附S的电学特性影响。计算结果表明，当选择Zn-Zn 键的正上作为S 原子的吸附位置时，ZnO（100）面的吸附性最稳定，能带带隙最大，导电性最弱。随着掺Ag 浓度的增大，ZnO（100）面的能带带隙并无显著的变化，而价带区的p 态电子密度明显增大，s 态电子密度减小，导致ZnO（100）面的导电性增强。 【期刊名称】《中小企业管理与科技》 【年(卷),期】2019(000)025 【总页数】3

【关键词】【关键词】ZnO；替位掺Ag；吸附 【文献来源】

https://www.zhangqiaokeyan.com/academic-journal-cn_management-technology-

sme_thesis/0201274315899.html

1 引言

ZnO 作为一种宽禁带的半导体材料，室温下其带隙为3.37Ev。与大多数的宽禁带半导体（如GaN、ZnSe、ZnS 等）相比，ZnO 的激子束缚能为60meV，高于室温热离化能，有利于激子在室温下实现高效的激子发射[1]。此外，ZnO 的硬度大、介电常数低、光电耦合率高、热学及化学稳定性强，因此，在压敏器件、气敏传感器件、紫外光电探测器，以及太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。

本文以Ag 掺杂ZnO 为研究对象，采用密度泛函理论的第一性原理系统地模拟