第七章 CVD工序
7.1 CVD工序的目的 7.2 CVD工艺的基本原理
7.3 CVD的设备构成和主要性能指标
7.4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价 7.5特种气体供应管理系统
7.1 CVD工序的目的
7.1.1 CVD目的
在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜。
A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物
7.1.1.1 CVD film介绍
Film G-SiNX（GH&GL） a-Si（AH&AL） na-Si（NP） P-SiNX（PV）
＋Gas SiH4+NH3+H2 SiH4+H2 SiH4+PH3+H2 SiH4+NH3+H2
7.1.1.2各层薄膜的功能
1. G: Gate SiNx （绝缘层） 作用：防止M1与I层导通
2. a-Si （半导体） 作用：导通层，电子在该层产生
3. N: N+ a-Si （掺杂半导体）
作用：降低界面电位差，降低I层与M2之间的电位差 4. Passivation (保护层)
作用：该层的作用是保护M2，防止其发生氧化，腐蚀
7.1.1.3生成各层的化学反应原理
（1）SiNX:H
SiH4 + NH3 + N2 → SiNX: H
（2） a-Si:H
SiH4 + H2 → a-Si:H
（3）na-Si:H
＋
SiH4 + PH3 + H2 →n＋a-Si:H
第7章CVD工序全解
