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ii?vsigvgs?vOroRDRLgmvgs解：
RiRo
由电路结构可知，该场效应管工作在饱和模式
VG=VD=2V,ID=I=500?A
gm?2ID2*500?AV??0.91mA/V,ro?A?100k? VOV2?0.9ID因RG?10M?，其上的交流电流可以忽略，则
Av?Ro?vo??gm?ro//RL???8.27 vivtitvsig?0RL?∞?ro//50k?//RG?33k?
为了计算输入电阻，先考虑输入电流（此处也可用密勒定理）， ii?vo?viv?v?v?i?1?o??9.27i RGRG?vi?RGRvRi?i?G?1.08M?
ii9.274.18 对于图题4.13所示的共栅极电路，gm?2mA/V： （1）确定Av和Gv；
（2）RL变为2.2k?，计算Av和Avs，并说明RL的变化对电压增益有何影响；
（3）Rsig变为0.5k?（RL为4.7k?），计算Av和Avs，说明Rsig的变化对电压增益有何影响。
18V3.3k?5.6?FVO4.7k?Rsig1k?+5.6?FVi1.2k?VS--18V 图题4.13.
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解：（1）等效电路如下图所示
Av?vo?gmvgs?RD//RL???gm?RD//RL?=3.88
vi?vgs
Ri?vi?1//RS?0.35k? iigmGv?RiAv?0.353.88?1
Ri?Rsig0.35?1vo?gmvgs?RD//RL???gm?RD//RL?=1.52
vi?vgs(2) RL变为2.2k?时，Av?Avs?RiAv?0.353.88?0.39
Ri?Rsig0.35?1若RL减小，则Av和Avs均减小，反之亦然。
（3） Rsig变为0.5k?（RL为4.7k?）时，
Av?Avs?vo?gmvgs?RD//RL???gm?RD//RL??3.88 vi?vgsRiAv?0.353.88?1.6
Ri?Rsig0.35?0.5若Rsig变减小，则Av不变，Avs增加。反之亦然。
4.19 计算图题4.14所示的级联放大器的直流偏置、输入电阻、输出电阻及输出电压。如果输出端负载为10k?，计算其负载电压。已知结型场效应管IDSS?10mA,Vt??4V，输入信号电压有效值为10mV。
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VDD(?20V)VDD(?20V)2.4k?0.05?F0.05?F2.4k?vo0.05?Fvi3.3M?680?100?F3.3M?680?100?F
图题4.14
解：（1）两级放大器具有相同的直流偏置。VG?0，?VGS??VS??IDRS??0.68ID 考虑到放大器应用中，场效应管应工作在饱和区，则有： ?V?ID?IDSS?1?GS??ID?3.31mA或8.01mA(舍去）
Vt??2?4.4ID?10?0 代入上式可得：0.289ID2解得ID?2.8mA，VGS??0.68?2.8??1.9V， (2) gm?2ID5.6??2.6ms， VOV2.1由于第二级没有负载，则 Av2??gmRD??6.24
对于第一级放大器，2.4k?//3.3M??2.4k?，可得到相同的增益 则级联放大器的增益为Av?Av1Av2?38.4 输出电压为vo?Avvi?38.4?10?384mV
Ri?vi?RG?3.3M? iiRo?RD?2.4k?
RLvo?10384?310mV
RO?RL2.4?10负载10k?两端的输出电压为 vL?
?(W/L)= 0.8mA/V2，VA = 40V，4.20 图题4.15所示电路中的MOSFET有Vt = 1V，knRG?10M?，RS?35k?，RD?35k?。
（1）求静态工作点IDQ、VGSQ； （2）求偏置点的gm和ro值；
（3）如果节点Z接地，节点X接到内阻为500k?的信号源，节点Y接到40k?的负载电阻，求从信号源到负载的电压增益、Ri、Ro。
图题4.15
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（4）如果节点Y接地，求Z开路时从X到Z的电压增益。该源极跟随器的输出电阻为多少？ 解：（1）该电路工作在饱和区，则有
VG?0V，VGS?VG?VS??VS?5?35ID
?W?VGS?Vt??ID?0.1mA，则VGS?VG?VS?5?35ID?1.5V ID?1kn2L2IV (2) gm?D?0.4ms，ro?A?400k?
VOVID2 (3) 为共源电路，交流小信号等效电路如下：
Ri?Ro?Av?vi?RG?10M? iivtitvsig?0RL?∞?ro//RD?32k?
vo??gm?ro//RD//RL???7.13 viGv?RiAv??100007.13??6.79
Ri?Rsig10000?500(5) 为共漏放大器，等效电路如下
vro//RSAv?o???0.93
vi1ro//RS?gmRo?ro//RS//1?2.32k?
gm
模拟电子电路基本答案解析(胡飞跃)第四章答案解析
