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g—C3N4半导体纳米结构的控制及光催化性能的研究

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g—C3N4半导体纳米结构的控制及光催化性能的研究

作者:孟建玲 范秀飞

来源:《中国科技博览》2016年第24期

[摘 ;要]g-C3N4具备化学组成和能带结构易调控、可见光响应、廉价稳定、等优点。但它同时还存在比表面积小、光生电子-空穴复合严重等固有问题,导致光催化过程量子效率偏低,严重制约其在能源和环境光催化领域的应用。本文主要研究氮化碳半导体的纳米结构控制,提高其光催化的效率。

[关键词]g-C3N4 ;可见光催化 ;纳米结构

中图分类号:TH113.22 文献标识码:A 文章编号:1009-914X(2016)24-0186-01 Study on the control of nanostructure and visible light driven photocatalytic performance of g-C3N4 semiconductor

MENG Jian-Ling, FAN Xiu-Fei *

(Tongren University, College of materials and chemistry engineering, 554300)

[Abstract]g-C3N4 is easy to control its chemical composition and band structure, meanwhile it is visible light respondence, cheap and stable. But it has many defects, such as low surface area, high recombination rate of photogenerated electron-hole pairs. Hence the performance of g-C3N4 is low, Which restricts its practical application. In this paper, we mainly study the control of nanostructure of carbon nitride semiconductor and improve its photocatalytic efficiency. [Key words]g-C3N4; Visible light photoatalysis; Nanostructure 1、引言

自1972年日本科学家Fujishima和Honda首次报道TiO2光催化分解水反应后[1],半导体光催化成为降解污染物和太阳能转化领域中最引人注目的一项技术,在环保和能源领域有着潜在的应用价值。石墨相氮化碳 (g-C3N4) 是一种非金属的可见光响应的半导体光催化剂,具有堆叠二维片状结构。由于其适宜的禁带宽度、较高的热稳定性和化学稳定性以及无毒等优点,成为光催化,电化学,等领域研究的热点。g-C3N4 具备化学组成和能带结构易调控、可见光响应、廉价稳定、生物兼容性好等优点[2],但同时存在比表面积小、光生电子-空穴复合严重等问题,导致光催化量子效率偏低,严重制约其在能源和环境领域的应用和推广。光催化剂的纳米结构与其物理化学性质以及光催化性能存在非常紧密的联系。当半导体材料的尺度缩

g—C3N4半导体纳米结构的控制及光催化性能的研究

龙源期刊网http://www.qikan.com.cng—C3N4半导体纳米结构的控制及光催化性能的研究作者:孟建玲范秀飞来源:《中国科技博览》2016年第24期[摘;要]g-C3N4具备化学组成和能带结构易调控、可见光响应、廉价稳定、等优点。但它同时还存在比表面积小、光生电子-空穴复合严重等固有问题,导
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