AiP1618
3线串口共阴极5段7位或8段4位 LED 驱动控制/5*1 位键盘扫描专用电路
产品说明书
说明书发行履历：
版本
2010-01-A 2012-01-B1
发行时间
2010-01 2012-01
新制/修订内容
更换新模板
增加说明书编号及发行履历
1、概 述
AiP1618 是带键盘扫描接口的 LED 驱动控制专用电路，内部集成有 MCU 数字接口、数据锁存器、 键盘扫描等电路。本产品主要应用于 VCR、VCD、DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。
其主要特点如下：
采用功率 CMOS 工艺
多种显示模式（5 段×7 位～8 段×4 位） 键扫描（5×1bit）
辉度调节电路（占空比 8 级可调） 串行接口（CLK，STB，DIO） 内置 RC 振荡（450KHz±5%） 内置上电复位电路 封装形式：DIP18/SOP18
2、引脚排列图及引脚说明
2.1、引脚排列图
DIO CLK STB K2 VDD SEG1/KS1 SEG2/KS2 SEG3/KS3 SEG4/KS4
1 2 3
18 17
GRID1 GRID2 GND
16
4
15
GRID3 GRID4
5 6 7 8 9
14 13 12 11 10
SEG5/KS5SEG14/GRID5 SEG13/GRID6 SEG12/GRID7
2.2、引脚说明 引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
引脚名称 数据输入/输出 时钟输入 片选 键扫数据输入 逻辑电源 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出（段） 输出(段/位) 输出(段/位) 输出(段/位) 输出（位） 输出（位） 逻辑地 输出（位） 输出（位）
说 明
在时钟上升沿输入串行数据，从低位开始。
DIO 在时钟下降沿输出串行数据，从低位开始，且内部集成
上拉电阻 20K 左右。
CLK 在上升沿读取串行数据，下降沿输出数据。
在上升或下降沿初始化串行接口，随后等待接收指令。
STB STB 为低后的第一个字节作为指令，当处理指令时，当
前其它处理被终止。当 STB 为高时，CLK 被忽略。
K2 输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存 VDD 电源电压 SEG1/KS1 段输出（也用作键扫描），P 管开漏输出。 SEG2/KS2 段输出（也用作键扫描），P 管开漏输出。 SEG3/KS3 段输出（也用作键扫描），P 管开漏输出。 SEG4/KS4 段输出（也用作键扫描），P 管开漏输出。 SEG5/KS5 段输出（也用作键扫描），P 管开漏输出。 SEG12/GRID7 段/位复用输出 SEG13/GRID6 段/位复用输出 SEG14/GRID5 段/位复用输出 GRID4 位输出，N 管开漏输出。 GRID3 位输出，N 管开漏输出。 GND 接系统地 GRID2 位输出，N 管开漏输出。 GRID1 位输出，N 管开漏输出。 符 号
3、电特性
3.1、 极限参数（Ta=25℃，GND=0V） 参 数 名 称
逻辑电源电压
逻辑输入电压 V mA mA mW
工作温度 +80 ℃
储存温度 +150 245
℃
焊接温度
℃
TL
LED Seg 驱动输出电流 LED Grid 驱动输出电流 功率损耗
符 号
VDD
VI1 IO1 IO2 PD Topt Tstg
10 秒 条 件
额 定 值 -0.5～+7.0
单 位 V
-0.5～VDD+0.5
-50 +200 400 -40～-65～
3.2、推荐使用条件（Ta= -20℃～+70℃，GND=0） 参 数 名 称 逻辑电源电压
高电平输入电压 V
符 号 VDD
VIH
最小 3
典型 5
最大 5.5
单 位 V
0.7VDD - VDD
低电平输入电压 V
VIL
0 - 0.3VDD
3.3、电气特性
3.3.1、电气特性（Ta = -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V ,GND=0V）
3.3.2、开关特性（Ta = -20℃～+70℃，VDD=4.5V～5.5V）
时序特性
4、时序图与端口操作说明、指令系统介绍
4.1、时序图
4.2、显示寄存器地址和显示模式
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到 AiP1618 的数据，地址分配如下：
xxHL(低四位) xxHU(高四位) xxHL(低四位) xxHU(高四位)
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
00HL 00HU 01HL 01HU GRID1
02HL 02HU 03HL 03HU GRID2
04HL 04HU 05HL 05HU GRID3
06HL 06HU 07HL 07HU GRID4
08HL 08HU 09HL 09HU GRID5
0AHL 0AHU 0BHL 0BHU GRID6
0CHL 0CHU 0DHL 0DHU GRID7
4.3、键扫描和键扫数据寄存器 键扫矩阵为 5×1bit，如下所示：
键扫数据储存地址如下所示，先发读键命令后，开始读取按键数据 BYTE1—BYTE5 字节，读数 据从低位开始输出，其中 B6 和 B7 位为无效位，此时芯片输出为 0。芯片 K 和 KS 引脚对应的按键按 下时，相对应的字节内的 BIT 位为 1。
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B0 X B1 K2 KS1 KS3 KS5 KS7 KS9
B2 X B3 X
B4 K2 KS2 KS4 KS6 KS8 KS10
B5 X
B6 0 0 0 0 0 0 B7 0 0 0 0 0 0
BYTE1 BYTE2 BYTE3 BYTE4 BYTE5
4.4、指令介绍
指令用来设置显示模式和 LED 驱动器的状态。
在 STB 下降沿后由 DATA 输入的第一个字节作为一条指令。
B7 B6 指令 0 0 显示模式设置 0 1 数据命令设置 1 0 显示控制命令设置 1 1 地址命令设置
如果在指令或数据传输时 STB 被置为高电平，串行通讯被初始化，并且正在传送的指令或数据 无效（之前传送的指令或数据保持有效）。 （1）显示模式设置
该指令用来设置选择段和位的个数（4～7 位，5～8 段）。当指令执行时，显示被强制终止。要重 新显示，显示开/关指令“ON”必需被执行，但当相同模式被设置时，则上述情况并不发生。
MSB 0
0
-
- 不考虑
上电时，设置模式为 7 位，5 段。
-
-
LSB b1 b0
00
01 10 11
4 位，8 段
5 位，7 段 6 位，6 段 7 位，5 段
（2）数据设置
该指令用来设置数据写和读 MSB 0
1
- - 不考虑
b3
b2
LSB b1 b0
数据读写模式设定
00：写数据到显示寄存器 10：读键扫数据
测试模式设定：
0：普通模式 1：测试模式
地址增加模式设定（对于显示寄存 ）： 0：写一字节数据后地址增加 1：固定地址
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（3）地址设定
该指令用来设置显示寄存器的地址。
MSB 1
1
-
-
b3
b2
LSB b1 b0
地址（00H～0DH）
如果地址设为 OEH 或更高，数据被忽略，直到有效地址被设定。上电时，地址设为 00H。
不考虑
（4）显示控制
MSB
1
0
- -
不考虑
b3
LSB b2 b1
b0
显示开关设定：
0：显示关（键扫继续**） 1：显示开
消光数量设定：
000：设置脉冲宽度为 1/16 001：设置脉冲宽度为 2/16
010：设置脉冲宽度为 4/16 011：设置脉冲宽度为 10/16 100：设置脉冲宽度为 11/16 110：设置脉冲宽度为 13/16 111：设置脉冲宽度为 14/16 101：设置脉冲宽度为 12/16
注：* 上电时，设置为脉冲宽度为 1/16，显示关。 ** 上电时，键扫有效。 4.5、串行数据传输格式
读取和接收 1 个 bit 都在时钟的上升沿操作
数据接收（写数据）
STB CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
只传送一个字节
**
数据继续传送
DIO b0 b1 b2 b3 b4 b5 b6 b7
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数据读取
STB
CLK
1 2
8
tWAIT ** b7
1 2 3 4 5
DIO b0 b1
设置数据读取指令
b0 b1 b2 读取数据
b3 b4
**：读取数据时，从串行时钟CLK 的第8 个上升沿开始设置指令到CLK 下降沿读数据之间需要 一个等待时间tWAIT（最小1us）。 4.6、显示和键扫周期
4.7、应用时串行数据的传输
地址增加模式
STB
CLK
DIO Command1 Command2 Command3 Data1 Data n Command4
Command1：设置显示模式。显示模式的设置在上电后设置，一般只需要设置一次就可以了。 Command2：设置数据 Command3：设置地址 Command4：控制显示
Data1～Data n：传输显示数据（最多14 字节）
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固定地址
STB
CLK
DIO Command1 Command2 Data Command2 Data
Command1：设置数据 Command2：设置地址 Data：显示数据
5、典型应用线路图
LED
VDD
10K 10K 10K
6 DIO
5 CLK
4 STB STB
3 VDD VDD 100P 100P100P 2 IR
1 GND
VDD
DIO
DIO
CLK
CLK
2
17
GRID2
1
18
GRID1
3 STB K2 VDD
4 5 6 7 8 9
GND 16 15 GRID3 14 GRID4 13 SEG14/GRID5 12 SEG13/GRID6
SEG12/GRID7 11 10
SEG5/KS5
SEG1/KS1 SEG2/KS2 SEG3/KS3 SEG4/KS4
+
电容在芯片附近就近接上
104
220uF/10V
510 510 510 510 510
K2
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6、封装尺寸与外形图
6. 1、DIP18 外形图与封装尺寸
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6. 2、SOP18 外形图与封装尺寸
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7、声明及注意事项：
7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
部件名称 引线框 塑封树脂 芯片 内引线 装片胶 说明
铅（Pb） ○ ○ ○ ○ ○
有毒有害物质或元素
多溴联苯 多溴联苯 六阶铬
汞（Hg） 镉（Cd）
（PBDEs） （C（r Ⅵ ）） （PBBs） 醚
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○ ○ ○ ○ ○
○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以 下。 ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要
求。
7.2 注意
在使用本产品之前建议仔细阅读本资料； 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知；
本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失；
本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。
LED驱动控制专用电路
一、 概述
TM1618是一种带键盘扫描接口的LED（发光二极管显示器）驱动控制专用IC,内部集成有MCU
数字接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描等电路。本产品质量可靠、稳定性好、抗干扰能力 强。主要适用于家电设备(智能热水器、微波炉、洗衣机、空调、电磁炉)、机顶盒、电子称、智
能电表等数码管或LED显示设备。
二、 特性说明
? 采用CMOS工艺
? 多种显示模式（7 段×5位 ～ 8段×4 位） ? 最大支持矩阵按键5×1
? 辉度调节电路（8 级占空比可调） ? 串行接口（CLK,STB,DIO） ? 振荡方式：内置RC振荡 ? 内置上电复位电路 ? 内置数据锁存电路
? 抗干扰能力强
? 封装形式：SOP18/DIP18
三、 管脚定义：
DIO CLK STB K2 VDD
SEG1/K S1 SEG2/K S2 SEG3/K S3 SEG4/K S4 1 2
TM1618
3 4
(TOP VIEW)
5
6 7 8 9
18 GRID1 17 GRID2
16 GND 15 GRID3 14 GRID4
13 SEG14/GRID5 12 SEG13/GRID6 11 SEG12/GRID7 10
SEG5/K S5
LED驱动控制专用电路
四、管脚功能定义：
符号
管脚名称
管脚号
说明
在时钟上升沿输入串行数据,从低位 开始。在时钟下降沿输出串行数据,从 低位开始。输出时为P管开漏输出。 在上升沿读取串行数据,下降沿输出
数据。
在下降沿初始化串行接口,随后等待 接收指令。STB为低后的第一个字节 作
为指令,当处理指令时,当前其它处理 被终止。当STB为高时,CLK 被忽略。 输入该脚的数据在显示周期结束后被
锁存。
段输出（也用作键扫描输出）,P管开
漏输出。
位输出,N管开漏输出。
段/位复用输出,只能选段或位输出 接电源正 接系统地
DIO 数据输出输入 1
CLK 时钟输入 2
STB 片选输入 3
K2 SGE1/KS1～ SEG5/KS5 GRID1～ GRID4
键扫数据输入 输出（段）
4
6～10
输出（位） 14～18 11～13 5 16
SEG14/GRID5～
输出（段/位）
SEG12/GRID7
VDD GND
逻辑电源 逻辑地
注意：DIO口输出数据时为N管开漏输出，在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公司推荐10K的上 拉电阻。
五、指令说明
指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为指令。经过译码,取最高B7、B6两位比特位以区别不同的指令。
B7 0 0 1 1 B6 0 1 0 1 指令
显示模式命令设置 数据命令设置 显示控制命令设置 地址命令设置
如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据无效之前传送 的指令或数据保持有效。 （1）
显示模式命令设置：
该指令用来设置选择段和位的个数（4～5 位,7～8 段）。当该指令被执行时,显示被强制关闭。在显 示模式不变时,显存内的数据不会被改变,显示控制命令控制显示开关。
MSB LSB
B7 0 0 0 0
（2）
B6 0 0 0 0
无关项,填 0 B5
B4
B3
B2
0 0 1 1
B1
0 1 0 1
B0
显示模式 4位 8段 5位 7段 6位 6段 7位 5段
数据命令设置：
该指令用来设置数据写和读,B1和B0位不允许设置01或11。 MSB LSB B7 0 0 0 0 0 0
B6 1 1 1 1 1 1
B5
B4
B3
B2 0 1
B1 0 0
B0
功能
说明
写数据到显示寄存器
读键扫数据 自动地址增加 固定地址 普通模式 测试模式
数据读写模式
设置 地址增加模式
设置 测试模式设置 （内部使用）
无关项, 填 0
0 1
0 1
（4地址命令设置：
该指令用来设置显示寄存器的地址。如果地址设定为0xCE或者最高，则数据会被忽略。上电时,首地址
默认设为C0H。
六、 显示寄存器地址：
该寄存器存储通过串行接口接收从外部器件传送到TM1618的数据,最多有效地址为14位,分别与芯片SEG和 GRID管脚对应,具体分配如图(2)：
写LED显示数据的时候,按照显示地址从低位到高位,数据字节从低位到高位操作。
X
xxHL（低四位）
X
X
X
X
X
X
X
xxHU(高四位) xxHL(低四位) xxHU（高四位）
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
C0HL C0HU C1HL C1HU GRID1 C2HL C2HU C3HL C3HU GRID2 C4HL C4HU C5HL C5HU GRID3 C6HL C6HU C7HL C7HU GRID4 C8HL C8HU C9HL C9HU GRID5 CAHL CAHU CBHL CBHU GRID6 CCHL CCHU CDHL CDHU GRID7
图（2）
▲注意：芯片显示寄存器在上电瞬间其内部保存的值可能是随机不确定的,此时客户直接发送开屏命令, 将有可能出现显示乱码。所以我司建议客户对显示寄存器进行一次上电清零操作,即上电后向14位显存地址中全 部写入数据0x00。
八、 键扫描和键扫数据寄存器：
该芯片最大支持的键扫矩阵为1×5bit,如下所示：
KS1
KS2
KS3
KS4
KS5
K2
图（3）
键扫数据储存地址如下所示,先发读按键命令后,开始读取5字节的按键数据BYTE1—BYTE3,读数据从低位 开始输出,其中B7和B6位为无效位固定输出为0。芯片K和KS引脚对应的按键按下时,相对应的字节内的BIT位为
1。
B0 X 0 0 0 B1 K2 KS1 KS3 KS5 B2 X 0 0 0 B3 X 0 0 0 B4 K2 KS2 KS4 0 B5 X 0 0 0 B6 X 0 0 0 B7 X 0 0 0
BYTE1 BYTE2 BYTE3
图（4）
▲注意：1、TM1618最多可以读3个字节,不允许多读。
2、读数据字节只能按顺序从BYTE1-BYTE3读取,不可跨字节读。例如：硬件上的K2与KS5对应按
键按下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第3节的第B1位,才可读出数据。
组合按键： 复合按键的问题：SEG1/KS1-SEG10/KS10是显示和按键扫描复用的。以图（12）为例子, 显示需要D1亮,D2灭,需要让SEG1为“0”,SEG2为“1”状态,如果S1,S2同时被按下,相当于SEG1,SEG2被短路,
这时D1,D2都被点亮。
SGE1/KS1
SGE2/KS2
D1
D2
S2 S1
K1
GRID1
图（12）
解决办法：串联二极管如图（14）所示。
SGE1/KS1
SGE2/KS2
D1
D2
S2 S1
K1
GRID1
图（14）
十、串行数据传输格式：
读取和接收1个BIT都在时钟的上升沿操作。 数据接收（写数据）
CLK DIO STB
图（5）
数据读取（读数据）
CLK DIO STB
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B0
B1
B2
B3
B4
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7
发读按键命令
图（6）
Twait
读取按键数据
▲注意：1、读取数据时,从串行时钟CLK的第8 个上升沿开始设置指令到CLK下降沿读数据之间需要一个等
待时间Twait(最小2μ S)。具体参数见时序特性表。
十一、 应用时串行数据的传输：
（1） 地址增加模式
使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令字发送完毕, “STB”不需要置高紧跟着传数据,最多14BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。
CLK DIO STB
Command1
Command2
Command3
Data1
Data2
```````
Data n
Command4
Command1: 设置显示模式 Command2: 设置数据命令 Command3: 设置显示地址
Data1～ n: 传输显示数据至Command3地址和后面的地址内（最多14bytes） Command4: 显示控制命令
（2） 固定地址模式
使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发送完毕,“STB”不 需要置高,紧跟着传1BYTE数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第2个数据需要存放的地址,最多 6BYTE数据传送完毕,“STB”置高。
CLK
DIO STB
Command1
Command2
Command3
Data1
Command4
Data2
```````
Command5
Command1: 设置显示模式 Command2: 设置数据命令 Command3: 设置显示地址1
Data1: 传输显示数据1至Command3地址内 Command4: 设置显示地址2
Data2: 传输显示数据2至Command4地址内 Command5: 显示控制命令
（3）读按键时序
CLK DIO STB
Command1
Data1
Data2
Data3
Command1: 设置读按键命令 Data1～3:读取按键数据
（4）采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图：
采用自动地址加一的程序设计流程图：
开始
初始化
设置显示模式
发送写显存的数据命令
设置起始地址
连续传送多个字节数据 （最多 14 个字节）
发送显示控制命令
发送读按键命令
读按键数据并存储到 MCU
寄存器（最多 3 个字节）
有键按下？
按键处理程序
结束
采用固定地址的程序设计流程图：
开始
初始化
设置显示模式
发送写显存的数据命令
设置显存地址
传送 1Byte 数据
送完数据？
发送显示控制命令
发送读按键命令
读按键数据并存储到 MCU
寄存器（最多 3 个字节）
有键按下？
按键处理程序
结束
十二、应用电路：
TM1618驱动共阴数码屏硬件电路图（18）：
SEG1 a
a
SEG1
SEG2 SEG3
b c f
g
SEG1 a
a
SEG1 a
a
b
SEG2 SEG3
b
bSEG2 SEG2 SEG3
SEG3
c
f
g
b
f
g
b
a b c de e f g
a g
b
GRID4
c
f d
c
GRID1
SEG4 SEG5 d e
e
d
c
SEG4 SEG5 d e e
c d
GRID2
SEG4 SEG5 d e
e
d
c
GRID3
SEG4 SEG5 SEG12 f
SEG13 g SEG14 SEG12 f
SEG13 g SEG14 VCC
SEG12 f
SEG13 g SEG14 SEG12 SEG13 SEG14 10K
1 2 3
DIO CLK STB
10K 10K
DIO
CLK STB K2 VDD
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG1
VCC
SEG2 SEG3
104
SEG4 SEG5
GND 100uF
GRID1
TM1618
GRID2 GND GRID3
GRID4
GRID4
SEG14 SEG13
SEG1/KS1 SEG14/GRID5 SEG2/KS2 SEG13/GRID6
GRID2 GRID3
GND
GRID1
VCC
100P
100P 100P GND
SEG12
SEG3/KS3 SEG12/GRID7 SEG4/KS4 SEG5/KS5 SEG5
图（18）
▲注意：1、VDD、GND之间滤波电容在PCB板布线应尽量靠近TM1618芯片放置,加强滤波效果。
2、连接在DIO、CLK、STB通讯口上下拉三个100pF电容可以降低对通讯口的干扰。 3、因蓝光数码管的导通压降压约为3V,因此TM1618供电应选用5V。
十三、 电气参数：
极限参数（Ta = 25℃, Vss = 0V）
参数 逻辑电源电压 逻辑输入电压 LED SEG 驱动输出电流 LED GRID 驱动输出电流
功率损耗 工作温度 储存温度 V ESD
符号 VDD VI1 IO1 IO2 PD Topt Tstg MM(机器模式) HBM(人体模式)
范围 -0.5 ～+7.0 -0.5 ～ VDD + 0.5
-50 +200 400 -40 ～ +80 -65 ～+150
200 2000
V 单位
V V mA mA mW ℃ ℃
正常工作范围（Ta = -20 ～ +80℃,Vss = 0V）
参数 逻辑电源电压 高电平输入电压
符号 VDD VIH
最小 _ 0.7 VDD
典型 5 -
最大 _ VDD
单位 V V
测试条件
- -
低电平输入电压 VIL 0 - 0.3 VDD V -
电气特性（Ta = -20 ～ +80℃,VDD = 5V, VSS = 0V）
参数
符号 Ioh1
最小 20
典型 30
最大 60
单位
mA
测试条件 SEG5～
SEG11, Vo = VDD -3V
SEG5～
SEG11, Vo = VDD -2V
GRID1、
RID2
Vo=0.3V Vo = 0.4V,Dout Vo = VDD – 3V,
SEG5～SEG11
高电平输出电流
Ioh1
20
25
50
mA
低电平输入电流
IOL
80 120 - mA
低电平输出电流 高电平输出电流容
许量 高电平输入电压 低电平输入电压
Idout Itolsg
3 - 0.7
VDD -
- -
- 5
mA %
VIH VIL
-
CLK,DIO,STB
0.3 -
VDD
V
V
CLK,DIO,STB
开关特性（Ta = -20 ～ +80℃,VDD = 5V）
参数
传输延迟时间
符号
最小
典型 -
最大 300
单位 ns
测试条件 CLK →
tPLZ
DIO
- -
-
tPZL
- -
100 2
ns μ s
CL = 15pF, RL = 10K Ω
SEG5～
SEG11
CL = 300p F
tTZH 1
上升时间
tTZH 2
- - 0.5 μ s SEG12/GRID7
下降时间
t
THZ
- - 1.5 μ s CL = 300pF,SEGn,GRIDn
最大输入时钟频
率
输入电容
Fmax 50% CI
- -
- -
1 15
MHz pF
占空比-
时序特性（Ta = -20 ～ +80℃,VDD = 5V）
参数 时钟脉冲宽度 选通脉冲宽度 数据建立时间 数据保持时间 CLK →STB 时间
符号 PWCLK PWSTB
最小
典型 最大 单位
- - - - -
- - - - -
ns μ s ns ns μ s
测试条件
- - - - CLK↑→STB↑
500 1 100 100 1
tSETUP tHOLD tCLK-STB
时序波形图：
十四、IC封装示意图：
SOP18封装尺寸：
DIP18封装尺寸：
All specs and applications shown above subject to change without prior notice.
(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)
以上是“奥伟斯科技”分享的产品信息，如果您需要订购此款物料，请查看我们的官网与我们联系，非常感谢您的关注与支持！奥伟斯科技提供专业的智能电子锁触摸解决方案,并提供电子锁整套的芯片配套:低功耗触摸芯片、低功耗单片机、马达驱动芯片、显示驱动芯片、刷卡芯片、时针芯片、存储芯片、语音芯片、低压MOS管、TVS二极管；IKSEMI电源管理芯片、DC/DC转换器:IL34063 IL7660 IL1583 IL1591 IL2307 低压差稳压器:IL1117 三端稳压器:IL2596 IL2576 IL1085 IL1084 IL1083 复位IC；AUK畅销型号：KMK1350F、SMK1350F、FQPF13N50C、13N50、KMK830F、SMK830F、IRF830PBF、KMK0870F、SMK0870F、8N70、KC5344SCY、
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AiP31063 AiP31086U AiP31020 AiP31021 AiP31520 CS1621 AIP31621D AIP31621E CS1622 CS75823优势产品未尽详细，欢迎查询
AIP1618 TM1618LED显示驱动芯片 - 图文
