第1章 半导体器件
一、是非题 (注:请在每小题后[ ]内用\√\表示对,用\×\表示错) 1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。（ ） 3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）
5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。（ ） 6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（ ） 7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。（ ） 8、施主杂质成为离子后是正离子。（ ） 9、受主杂质成为离子后是负离子。（ ）
10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。（ ） 15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 16、有人测得某晶体管的UBE=，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=20μA=35kΩ。（ ） 17、有人测得晶体管在UBE=，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=Ω。（ ） 18、有人测得当UBE=，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
rbe??UBE0.6?0??60(k?) ?IB10?0 （ ）
二、选择题 (注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) . 1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。
A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对
3、半导体中的载流子为_________。 A.电子 B.空穴 C.正离子 D.电子和空穴 4、N型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 5、P型半导体中的多子是_________。A.电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有
很大关系。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 C. 晶体缺陷
7、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压
时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。 A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变
8、二极管正向电压从增大15%时，流过的电流增大_______。（A1．15% B1．大于
15% C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）
9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。（A1．上移 B1．下移 C1．不变）说
明此时反向电流________。（A2．减小 B2．增大 C2．不变）. 10、在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流
的大小将是[ ] I=2mA <2mA >2mA D.不能确定
图 图 图
11、图所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=。当温
度上生到为40OC时,则UD的大小将是[ ]
A.仍等于 B.大于 C. 小于 D.不能确定
12、设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升
到40℃时，则I的大小将是 。 A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA 13、图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流 mA, 反向击穿电压为5V,击
穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ] A. 0.1 mA B. mA C. 5mA D. 15 mA 14、二极管的主要特性是 [ ]
A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
15、在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮
的灯是_________。 A. b B. c C. a
16、二极管电路如下图所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______。(设二极管的导通压降0) A.5.6V
图 图 图 图
17、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______(设二极管的导通压降为
18、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压Vo为______。(设二极管的导通压降为 、电路如下图所示。试估算A点的电位为_________。（设二极管的正向压降为。） A. 6.7V B. 6V C. D.
20、已知如下图所示电路中VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定Vo
的值为_____。（设二极管的正向压降为。）
图 图 图 (a) 图 (b)
21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为，可求出图(a)
中电路的输出电压Vo为_______；可求出图(b)中电路的输出电压Vo为_______；可 求出图(c)中输出电压Vo为_______；可求出图(d)中输出电压Vo为_______。 A.0.7V G..13V
图(c) 图(d) 图(a) 图(b)
半导体器件习题及答案
